简介：采用离子束辅助沉积法（IBAD）在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜，研究了轰击能量大小对Ti—Si—N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响，同时探讨了轰击能量对Ti—Si—N纳米复合薄膜的生长机理的影响。通过原子力显微镜（AFM）、纳米压人仪、光电子能谱（XPS）和X射线衍射分析（XRD）等现代分析技术，对Ti—Si—N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析。试验结果表明：当轰击能量为700eV时，Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11nm，此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高，为33GPa。
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