简介:<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。
简介:随着中国联通公司CDMA网络的开通使用,由此引发了不少关于CDMA系统对GSM系统的干扰。为此,信息产业部无线电管理局为防止CDMA系统基站和直放站的发射对GSM系统基站和直放站的接收产生有害干扰,在信部无(2002)65号文中规定了关于800MHz频段CDMA系统基站和直放机杂散发射限值及与900MHz频段GSM系统邻频共用设台要求,本文对该文件有关规定进行初步的探讨。
简介:罗德与施瓦茨的R&STMU9evoUHF发射机代表了该公司成功的中功率发射机系列的更高发展水平。新型发射机在能效和可靠性方面进一步提高,使网络运营商能够实现更高的运营成本节约。R&STMU9evo即使在频道变化或调节输出功率时也能实现最大的节能效果。智能R&S效率优化功能可自动为每种操作方案提供最经济的操作。多年来,该公司将创新理念和概念融入发射机开发中,新型R&STMU9evo风冷UHF中功率发射机使降低运营成本更进一步。
简介:上期845摩机一文(《音响世界》第181期《精雕细刻成大器——845单端放大器打摩记》)的结尾段曾提及我还有些想法要实施,现经一段时间休整后又提上日程。在上一期的文章中就曾提及每级之间推动力的配合问题,也因此将300B的推动胆由5881A改为EH的6H30Pi。在诸多的想法中,现在最迫切的是要验证在我的系统中,300B与845两级之间推动力的配合是否已最合适。
简介:纵观Kre11的产品线,都是单体(主机电源一体化)机器居多,最新推出的Evolution系列可谓聚Kre1125年经验之精华,正如其名,Evolution系列的出现,算得上是Kre11放大器的革命。
简介:意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。
简介:随着我国高压变频器技术的不断发展和成熟,高品质10MVA以上高压大功率变频器打破国外垄断的时机已经到来,大功率、高集成度、高密度功率单元、模块化设计、转速矢量控制已成为发展趋势,并在一些领域取得了成功。
简介:<正>是德科技公司宣布推出适用于射频功率放大器(PA)表征和测试的全新PXI参考解决方案,支持工程师执行S参数、谐波失真、功率和解调测量,对功率放大器-双工器(PAD)等下一代功率放大器模块实施快速和全面的表征。它经过优化,能够提供更高的测量吞吐量和测量精度。这款功能齐全的小型PXI参考解决方案是目前业界唯一适合对射频功率放大器及其周边所有无源器件(例如滤波器和双工器)执行设计验证和产品测试的解决方案。
简介:本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数(TC)。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑,并用一个实例验证了提出的模型。
简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。
英飞凌40 V OptiMOSTM T2功率晶体管荣获OFweek2013电子行业年度技术创新奖
800MHz频段CDMA系统对900MHz频段GSM系统的杂散发射功率电平的限值的探讨
节省运营成本的更高水平——罗德与施瓦茨在IBC 2018上展示新型中功率发射机
小,却魅力无穷——用小功率直热三极管205D试做一台平衡推挽功放
Krell Evolution One单声道分体甲类功率放大器、Evolution Two单声道分体甲类前置放大器
ST推出新款的MDmesh MOSFET内置快速恢复二极管提升高能效转换器的功率密度
大功率高压变频器在中石油西气东输天然气管道压气站电驱压缩机组的应用
是德科技推出业界功能最齐全的参考解决方案,实现新一代功率放大器模块的完整表征
线性区工作模式下沟道中的载流子迁移率和温度梯度如何影响功率MOSFET的温度系数(TC):理论研究、测试和仿真
用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器