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  • 简介:本文通过对三聚氰胺(C3N6H6)的室温高压原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验(EDXRD),在14.7GPa压力范围内,观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1.3GPa下,三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相;在8.2GPa又转变为正交相。

  • 标签: 三聚氰胺 C3N6H6 压制结构 相变 EDXRD 单斜晶系
  • 简介:RCC—C压水堆核电厂燃料组件设计和建造规则,是法国核电六项设计和建造规则之一。本文主要论述将RCC—C转化为我国相应标准的必要性和可行性。1转化的必要性由法国核岛设备设计和建造规程协会(AFCEN)的RCC编辑委员会RCC—C分编辑委员会编写的RCC—C,既讲燃料组件(包括燃料棒和骨架,骨架由上管座、下管座、导向管、仪表管和定位格架组装而成),又讲相关组件(包括控制捧组件、可燃毒物组件、一次中子源组件、二次中子源组件和阻流塞组件);既包括原材料和零部件的特性要求,又包括制造、检验和质量保证,既阐述了设计内容,又阐述了安全要求的比较全面的核燃料标准,而且,六个RCC标准之间联系接口处理得当,使之

  • 标签: 燃料组件 可行性分析 秦山核电厂 大亚湾核电厂 相关组件 必要性和
  • 简介:依照相关产品标准、计量检定规程的要求,结合实际应用,研制了一种X射线探伤检测装置,该装置可实现X射线探伤多个主要参数的检测,使用方便,大大提高检测效率,同时由于探伤机主要参数的检测,均与距离密切相关,该检测装置采用了精确的定位装置和精密滑轨,极大提高了检测结果的准确度,保证了测量结果的可靠性。该检测装置的使用,有助于探伤技术性能的检测和应用分析。

  • 标签: X射线探伤机 准确定位 多功能 检测装置 检测
  • 简介:对立式剪切送料系统进行了功能分析,特别对送料系统的传动链进行了故障模式影响分析(FMEA)和故障树分析(FTA),得出了影响送料系统可靠性的关键件、重要件,确定了顶事件的最小割集,依据底事件发生概率预计准则定量计算了顶事件发生概率,并根据分析结果提出了立式送料剪切送料系统的传动链设计、操作、维护等方面的注意事项。针对调试过程中送料系统中万向节组件发生过掉销现象,对其进行了可靠性分析仿真,提出了结构改进方案及具体的安装要求。

  • 标签: 可靠性 FMEA FTA 剪切机
  • 简介:介绍了田湾核电站全尺寸模拟的软硬件情况,给出了全尺寸模拟维护维修的一般策略,并详细分析了田湾核电厂全尺寸模拟维护维修的具体实施方法和应对措施.

  • 标签: 全尺寸模拟机 维护维修 策略 备份
  • 简介:利用同步辐射(BSRF)漫散射站四圆衍射仪,对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积(APCVD)生长的3C-SiC/Si(001)中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H(H为Hexagonal的缩写)结构。对3C-SiC外延薄膜,Φ扫描证明了3C-SiC外延生长于Si衬底上,外延取向关系为:(001)3C-SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C-SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射,采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C-SiC孪晶所致,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1%。

  • 标签: X射线四圆衍射仪 SiC体单晶 3C-SiC外延层 孪晶 APCVD 碳化硅
  • 简介:ThisworkinvestigatedC2F6/O2/ArplasmachemistryanditseffectontheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kdielectricsin60MHz/2MHzdual-frequencycapacitivelycoupleddischarge.FortheC2F6/Arplasma,theincreaseinthelow-frequency(LF)powerledtoanincreasedionimpact,promptingthedissociationofC2F6withhigherreactionenergy.Asaresult,fluorocarbonradicalswithahighF/Cratiodecreased.Theincreaseinthedischargepressureledtoadecreaseintheelectrontemperature,resultinginthedecreaseofC2F6dissociation.FortheC2F6/O2/Arplasma,theincreaseintheLFpowerpromptedthereactionbetweenO2andC2F6,resultingintheeliminationofCF3andCF2radicals,andtheproductionofanF-richplasmaenvironment.TheF-richplasmaimprovedtheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kfilms,leadingtoahighetchingrateandasmoothetchedsurface.

  • 标签: 等离子体化学 放电特性 蚀刻 薄膜 双频率 功率LED