简介：大规模集成电路的出现，促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC／DC反激开关电源，并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法，该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式，其输入、输出电路采用光耦隔离。

简介：记者近日从高交会交易中心了解到，第六届高交会专业色彩非常浓厚。由高交会交易中心与深圳市中电创意会展有限公司合作，首次推出的先进制造技术与产品展之“先进电子制造技术专馆”(简称“电子专馆”)，以全球最前沿的电子技术及电子生产技术为主题，吸引了一批国内外技术领先的半导体及设备制造企业和产品参加，显示出很强的专业特色。中国正成为全球制造基地，而电子制造业占据了重要的份额，在全国有广阔的发展前景。

简介：为了减小开关电源中的电磁干扰（EMI），研究了单片开关电源中的频率抖动技术，并简要介绍了频率抖动技术及其原理。设计一个具有频率抖动功能的弛张振荡器，分析了以弛张振荡器原理为基础具有频率抖动功能的振荡器结构设计和原理。通过HSPICE仿真分析电路频谱，结果表明频率抖动技术能有效削减方波的各次谐波幅值，从而达到抑制电磁干扰的效果。重点从抖动范围、抖动周期两方面讨论频率抖动模型，频谱对比分析结果表明抖动范围±7％、抖动周期为128T的抖动模型，其谐波至少下降6dB以上，高次谐波的峰值下降更为明显，满足6dB工程裕量的要求，能有效抑制电磁干扰。

简介：碳纳米材料家庭中的两名重要成员——碳纳米管和石墨烯,一直以来仅在实验室出现身影,近日却联手合作,加速相关研究进展,如混合能源储存应用,超电容器等。近日,密歇根科技大学的研究者将这两种纳米材料结合,应对一个难度更大的应用领域:电子器件。具体的一个例子就是,研究者们通过叠加碳纳米管和石墨烯成功制成电子开关。

简介：

简介：南京：建干部电子廉政档案，上海：《政府网站便民服务手册》免费发放，江西：开通地税管理信息系统

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简介：电子政务朝纵深推进。

简介：首先对美军认知电子战能力的发展现状进行了简单介绍。在对美军认知电子战项目进行分析的基础上,总结了认知电子战基本内涵、主要优势。最后,提出了一种认知电子战系统框架,并对该框架基于机器学习算法的工作流程进行了分析讨论。

简介：本文以全桥电路为主题，介绍其电路的工作原理及在实际应用中一些典型的失效案例分析。

简介：RDS是对FM广播系统应用的重大发展，其接收和解码需要性能较高的开关电容滤波器。通常采用计算z域传递函数，并将其分级用开关电容电路实现的设计方法。这种方法计算复杂，且滤波器的各级结构差异较大。文中提出一种基于重复单元的设计思路，将一个高阶开关电容滤波器拆分为几个结构完全一样的低阶滤波器单元。以二阶连续时间滤波器为基础，用开关电容模拟等效电阻，最终完成一个用于RDS信号处理的八阶开关电容滤波器，简化了设计，但同样具有较好的性能。

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简介：摘要随着经济的发展，科学技术也随之不断进步，我们的日常生活已经离不开电子技术了，当前电子技术的发展主要是两个方向，分别是模拟电子技术及数字电子技术。本文就两种电子技术的应用及对比分析进行了详细阐述。

简介：在信息通讯技术的推动下，随着电子政府的发展，西方国家兴起了电子民主的潮流，希望通过信息技术手段积极推动民主的电子化，以提升民众对民主活动的参与率以期解决日益严重的“民主赤字”问题。本文从电子民主的起因入手，分析了学者对电子民主的界定和电子民主模型的设计，以提高人们对西方电子民主的认识。

简介：本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议.

简介：1.建设电子人大是信息化时代的必然要求在信息经济飞速发展的冲击下,政府率先作出了应对,自1999年的"政府上网年",到2002年的"电子政务年",电子政府以互联网门户网站的形式出现,强调"政务公开"和"管理服务"两大职能,逐步实现政府从管理型向

简介：新西兰政府的电子政务的兴起源于对公民与政府问沟通和交往方式的变革.长期以来,新西兰公民与政府沟通主要依靠电话或面对面的交流.随着网络时代和网络经济的来临,政府的组织形态也逐步由金字塔式的垂直结构向错综复杂的、水平的网络结构转变,减少管理层次,以各种形式通过网络与公民的一种新型的伙伴关系.

简介：<正>三菱电气公司的一种可高频工作且性能先进的收发开关将为5GHz无线局域网提供频率保障。该公司创造了一种新的晶体管结构,并将这些晶体管用于串联和并联开关电路。这些晶体管采用硅CMOS工艺,以使它们适应高频工作。工程技术人员采用0.18μm工艺制作出耗尽层延伸晶体管(DET),再把这些器件用于串联和并联开关电路。所做出的开关的插损为1.4dB,5GHz下插入发射损耗为28%,隔离25dB,信号泄漏0.3%,最大容许功率11.2dBm,约13mW。比较而言,5GHz局域网要求的插损低于1.5dB,隔离20dB以上。与GaAs产品不一样,Si集成电路的成本低,工程技术人员制造Si高频集成电路所用的成本只有GaAs集成电路成本的一半。为了改善性能,他们将采用最佳电路设计。松下公司将在2～3年内开发5GHz带宽单芯片高频集成电路并推向市场,其中包括高频收发开关。

简介：文章对清管器的结构、性能、应用特点进行了全面分析,并对它在输水管、输油管及工业管线清洗中的应用情况做了具体介绍

简介：介绍了电磁激励Si微反射镜偏转的光开关的结构,工作原理和制作技术.光开关单元由单晶Si反射镜板、A1弹簧、A1格子、磁性材料、夹持电极、锁挡、矩形杠杆和外磁场组成.通过控制光开关单元的箝位电压、夹持电压和外磁场,可实现独立寻址的光开关阵列.器件制作使用了表面和体微机械工艺(如电镀、体湿法腐蚀和XeF2的深反应离子腐蚀等)工艺.这种器件可实现任一反射镜偏转角的光开关,最大偏转角可达90°.这种光开关是目前极力推崇的全光网络光开关.