简介：

简介：<正>半导体产业整并(Consolidation)现象将更加明显。半导体晶圆制造商的资本密集度在20纳米(nm)及其以下的制程之后,将呈现更惊人的倍数增长态势,因此能负担如此巨额资本资出(CAPEX)的厂商家数愈来愈少,带动半导体设备商、IC设计业者加速展开购并,以力巩市场势力版图。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：采用双级级联单程放大实现高增益、低噪声的C波段掺铒光纤放大器(EDFA);采用双级级联双程放大实现高增益、超平坦的L波段EDFA.在此基础上,采用并联结构实现了30dB以上的高增益、3dB带宽为57nm的低噪声宽带EDFA.

简介：<正>半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)

简介：

简介：高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势。根据不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计。首创了一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具,现场实验取得了

简介：Threekindsof650nmAlGaInPresonantcavitylight-emittingdiodes(RCLEDs)arefabricatedbymetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)withdifferentnumbersofpairsoftopdistributedBraggreflectors(DBRs),whichare15,10and5,respectively.Bycomparingthefullwidthathalfmaximum(FWHM),lightpowerandtheangularfar-fieldemissionofthedevices,thedevicewith15pairsoftopDBRsshowsthebestperformance.ItsFWHMis13.4nmandthelightpoweris0.63mWatadrivingcurrentof30mA.

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

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简介：电子设计自动化领导厂商思源科技与联华电子于4月17日共同宣布，即日起将提供已通过晶圆专工验证的Laker^TM制程设计套件（PDK）予联华电子65nm制程技术使用。这项由双方共同合作发展的PDK，是为了满足双方共同客户在特殊设计与尖端制程上的需求。双方后续的合作将专注在提供一系列的Laker—UMCPDK上，使得设计团队能将不同产品以最快的时程上市。

简介：Magma公司和中芯国际公司于9月7日共同宣布推出基于中芯国际公司90nm低功耗制程的先进IC实现参考流程，该流程使用了Magma公司BlastPower^TM，BlastCreate^TM和BlastFusion^R产品；中芯国际的90纳米标准单元库和IO单元库，以及Magma的低功耗综合和多电压设计流程，可以解决电源功耗管理中的三个主要问题：动态功耗、漏电功耗和功耗分布。

简介：Differentmaterial-dopedRamanfiberlaserswithveryhighefficiencyoperatingincontinuous-wavearepresented.With1WNd∶YVO4laserpumpingatwavelengthof1342nm,singlemodeoutputpowerofabove500mW(optical-to-opticalconversionefficiencyof50%)issimulatedintherangeof1400-1500nm.Usinghigh-germanium,high-phosphateandhigh-boratesilicatefibersasthegainmedium,laseroutputatwavelengthsof1420,1450,1480and1495nmcanbeachievedwithdifferentgeometries,whicharejustaspumpingC-bandandL-banddistributedRamanfiberamplifiers.

简介：7月22日,VirageLogic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。VirageLogic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。

简介：英商ARM公司与TSMC于10月18日共同宣布,已顺利完成首件采用20nm工艺技术生产的ARMCortex-A15处理器设计定案（TapeOut）。藉由TSMC在开放创新平台上建构完成的20nm设计生态环境,双方花费六个月的时间即完成从缓存器转换阶层（RTL）到产品设计定案的整个设计过程。

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简介：近日,三星电子在位于美国的2018年三星半导体代工论坛上,公布其全面的芯片制程技术路线图,目前已经更新至3nm工艺。据介绍,三星的7nmLPP将成为该公司首款使用EUV（极紫外光刻）方案的半导体工艺技术。以往三星的制程工艺都会分为LPE和LPP两代.

简介：无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。