简介:对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅一源极阈值电压的离散性在缩小,栅一源极闽值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高。
简介:根据"关于对轻工业化学电源研究所电池认证检测实验室进行实验室复评审+扩项评审的通知"([认可委秘(实)〔2013〕2454号])、"关于对国家化学电源产品质量监督检验中心进行审查认可/计量认证(复评审+扩项评审)的评审通知"([认可委秘(实)〔2011〕2454-1号])和"关于对国家轻工业电池质量监督检测中心进行国家计量认证复评审+扩项评审的通知"([认可委秘(实)〔2013〕2454-2]),中国合格评定国家认可委员会(CNAS)受国家认证认可监督管理委员会的委托,
简介:对一起由于两点接地造成主变差动与线路光差保护同时动作的原因进行了详细的分析,给出了事故的检查处理过程,对以后类似的事故分析有很好的借鉴作用。
从不同年代的通用型IGBT模块的数据分析看IGBT的进步(一)
国家化学电源产品质量监督检验中心顺利通过“三合一”现场复评审
一起两点接地造成主变差动与线路光差保护同时动作跳闸的原因分析