简介：

简介：采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法，对小于临界尺寸（120nm)的纳米晶BaTiO3(48nm)进行了研究，在实验压力范围内（0－21．2GPa,0-46.67GPa)，纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

简介：采用原位高压同步辐射X光衍射技术和Raman散射方法，对小于临界尺寸（120nm）的纳米晶BaTiO3(48nm）进行了研究，在实验压力范围内（0－21．2GPa,0-46.67GPa），纳米晶BaTiO3始终处于稳定的立方相。

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简介：对K3±δC60多晶薄膜进行了同步辐射光电子谱研究。入射光子能量为17－86cV。实验发现K3±δC60光电子谱的HOMO－1，HOMO及LUMO等导出能带的谱峰强度均随入射光子能量的增加而呈现振荡的性质，与纯C60的光电子谱峰随入射光子能量变化的趋势相似。结果C60分子独特的笼状几何结构，认为其电离截面的变化是由于K3±δC60的末态电子在C60分子笼内形成球状驻波引起的。以驻波的边界条件为基础进行理论计算，得到的电离截面极小值对应的光子能量与实验得到的结果符合良好。

简介：软X光扫描相机是对软X光时间特性进行研究的主要诊断工具。我们利用同步辐射作为光源，对它的静态性能：能量响应、增益等性能进行了相对标定，给出了软X光条纹相机的能量响应曲线和增益特性曲线，并与利用Henke的经验公式^[1]计算给出的响应曲线比较，其结果与理论较符合。

简介：本文介绍用BEPC的同步光做激发源，对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200）晶体，测得TiKα的能量分辨率达14．2eV，好于质子激发的结果（15eV），能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰，和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。

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简介：根据K在C60晶体中的扩散系数分析了在C60（111）单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确实为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

简介：给出了北京正负电子对撞机（BEPC）同步辐射新组装的3W1Wiggler束斑强度分布及光子束流的测量结果，并与理论计算作了比较，两者得出了一致的结果。

简介：Ti-dopedW03filmswerepreparedbythemid-frequencydual-targetmagnetronsputteringmethod.ThestructureandelectrochromicpropertiesoftheTi-dopedWO3filmswereanalysedbyX-Raydiffraction(XRD),Ramanspectroscopy,spectrophotometer,cyclicchronoam-perometryandatomicforcemicroscopy(AFM).Theresultsindicatethatthecrystallinitydecreaseafterthedopingoftitanium,thechannelsforioninjectionandextractionincrease,therespondingspeedwith5.1%titaniumdopedbecomesfaster,anditscirclelifeincreasesmorethanfourtimescomparedwiththeundopedWOafilm.Inthecolouredstate,theW-O-Wbondsdecrease,buttheW=Obondsincrease.SincetheW-O-WbondsbreakdownforLi~+ions'injectionandmoreW=Obondsform,itismoreconvenienttoinjectLi~+ionsintotheTi-dopedfilmthanundopedfilmbecausemoreW-O-Wbondsbreakdowninthecolouredstate.

简介：采用Czochralski法，我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现：晶体中存在亚晶界，该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差，在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定的取向差，我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移，计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。

简介：测量了K3C60单晶薄膜[111]方向的同步辐射角分辨光电子谱。首次观察到K3C60能带色散。通过对能带色散关系的分析，确立了K3C60低温下的一维无序取向结构。

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简介：MoleculardynamicssimulationsareperformedtoinvestigateCF3continuouslybom-bardingtheamorphoussiliconsurfacewithenergiesof10eV,50eV,100eVand150eVatnormalincidenceandroomtemperature.TheimprovedTersoff-Brennerpotentialswereused.Thesimu-lationresultsshowthatthesteady-stateetchingratesareabout0.019,0.085and0.1701for50eV,100eVand150eV,respectively.Withincreasingincidentenergy,atransitionfromC-richsurfacetoF-richsurfaceisobserved.IntheregionmodifiedbyCF3,SiFandCFspeciesaredominant.

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