简介：本文通过对不同腔体粉末工艺暂停时间和加热曲线的试验，得出了粉末工艺条件下暂停时间和加热曲线的选择规律。

简介：叙述了含氮金刚石合成的效果，含氮金刚石与普通金刚石及含氮天然金刚石性质间产生差异的原因，讨论了原料与合成工艺对金刚石合成过程及其结果所产生的影响，氮在晶体中的分布特征对金刚石晶体性质的影响机理，并指出了提高人造金刚石品质的方法与途径。

简介：以阿拉伯树胶为分散剂，采用液相还原法制备超细银粉。探讨分散剂种类、pH值和温度对银粉形貌和粒径的影响。研究表明，阿拉伯树胶通过化学吸附作用可以更好地吸附在银粒子表面，且比其他分散剂具有更好的分散作用。通过调节pH值，银粉的粒径可在0.34~4.09μm的范围内调节；通过改变反应温度可以控制银粉的表面形貌。在21.8~70°C的温度范围内，可成功制备振实密度大于4.0g/cm3的银粉。在50°C的最优温度下，银粉的振实密度大于5.0g/cm3。该合成方法具有条件温和、银浓度高的优点，是一种合成用于电子浆料的高品质银粉的有前景的方法。

简介：本文介绍了PCB行业发展的历史及现状，PCB基材用热压机的分类，以及PCB电子行业的加热系统设计应用，文中针对合成导热油、矿物型导热油、重质烷基苯型导热油的热稳定进行了系列实验。

简介：本文介绍了合成高强度(22．5～25．8kg)、粗颗粒(40／50～25／30)单晶金刚石，所需的炭源材料、触媒合金种类、装填方式、合成参数与合成效果。讨论了原料、合成工艺与合成条件对生长高强度粗颗粒的优质金刚石的影响及合成机理。

简介：就粉末触媒、片状触媒的合成效果进行了对比，并分析了粉末触媒合成金刚石的市场前景。

简介：

简介：叙述了不同碳源合成金刚石的效果。讨论了碳源材料影响合成金刚石效果的因素。在对多种碳源材料性能测试与分析的基础上，指出了合成金刚石碳源材料的优选原则。

简介：由于气液固三态的参与，气辅成型的冷却过程较为复杂。本文参照气辅成型的数学模型对该冷却过程工艺参数进行理想化假设，并对该模型进行简化及求解,得到了塑料制品在冷却过程中的温度场分布和冷却时间。

简介：复合环形气瓶爆破压力58MPa,未满足60MPa设计指标。气瓶水压爆破试验前依次经强度试验、气密性检查和疲劳试验。气瓶外层缠绕芳纶纤维,内衬为TC4钛合金超塑成形后激光焊接。运用多种分析手段开展内衬裂纹及断口的宏微观形貌分析、特征微区化学成分测定、焊缝金相组织检查。结果发现:在内衬内焊缝收弧焊趾部位存在裂纹源,裂纹源由数个微氧化脆性准解理小平面组成,源区与瞬断过渡区有疲劳条带特征。分析表明,裂纹源形成于焊接过程,在疲劳试验中发生疲劳扩展,而后爆破试验因裂纹前端应力强度因子达到临界值而发生失稳爆裂,裂纹性质为氢脆裂纹,属焊接气体保护不充分引起的环境吸氢。

简介：SiO2气凝胶及纤维复合SiO2气凝胶材料因轻质、高效、导热系数低等优点在保温隔热领域备受关注,应用前景广阔。其隔热性能、力学性能与微观结构、化学组成密切相关。本文对现阶段常见的微观结构、隔热性能、力学性能的表征方法做了介绍,常见的有密度、疏水角、晶态结构、微观形貌、比表面积及孔径分布、导热系数、化学组成、热稳定性、抗弯抗压等。综述了以上各种表征方法存在的优缺点及表征参数变化说明的问题。各种表征方法得到的表征参数之间存在紧密联系,需要从多角度理解和分析。

简介：本文主要介绍了金刚石生产中的常见“过烧”现象及产生原因，通过对不同原因引起的过烧的分析，提出针对性的的解决方法。

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简介：本文叙述了合金触媒合成金刚石的效果，讨论了合金触媒性能对金刚石合成及其性能的影响。在对多种合金性能测试与分析的基础上，综合了使用合金触媒的经验、看法和金刚石合成机理及对合成金刚石的触媒原料的选择方法。

简介：本文对环氧树脂进行改性，加入导热型填料，制作了一种导热性良好的树脂，用其做铝基覆铜板的绝缘层，不仅粘接性能优异，而且导热性良好。

简介：本文介绍了三种形状的导电钢圈对合成金刚石的影响，比较了其优缺点，“T”型导电钢圈和“U”型大导电钢圈配以适当的组装方式，可以提高合成的稳定性和金刚石的质量和产量。

简介：文章分析了在六面顶压机大型化同时，粉末触媒法合成金刚石的不断发展，并且探讨了部分利用大型压机合成新型功能性单晶或新材料的实验进展。指出国内粉末法合成金刚石近年来取得长足进步，但与国外先进技术仍存很大差距，任重而道远。

简介：采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响.纳米颗粒的X射线衍射（XRD）谱表明,所制备的CdO样品为立方结构.场发射扫描电子显微镜（FESEM）图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小.利用室温光致发光（PL）和紫外？可见光谱（UV-Vis）分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,CdO能带隙由于掺杂而增大.对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大.根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变CdO纳米结构的物理性质.

简介：