简介：射频电路主要由四个IC及周边元件组成：专用射频ICN601（型号为MJOELNER-S2006F23A）、三频合一功放N801（型号为PF08125B）、收发共用频率合成器G701（参数为VCO3420-3980MHz，2.7V,20mA）、天线开关Z601（型号LM-T118SIE2），电路如图1所示。

简介：华硕系列笔记本中有12.1寸的轻薄型机器S5N、M5N，有15寸宽屏幕的M6N，在迷你领域有10寸屏幕的S200N，那么既兼顾移动性，又兼顾性能的14寸屏幕领域呢？对了，就是这款M3N了。

简介：凭借着1美元购手机以及手机游戏等卖点的炒作，令诺基亚的N-GAGE迅速蹿红，成为手机开拓游戏业界的先锋。而尝到甜头以后，最近诺基亚又向市场推出了一款名为N-GAGEQD的游戏型手机，而这款手机究竟与原来的N-GAGE有什么不同呢？而QD又有什么新的含义呢？这期的手机测试就带给各位读者答案：

简介：随着国内半导体工艺水平的不断提高,固态合成功率放大器也开始大量的被应用到各种微波工程之中。目前国内多种固态合成功率放大器的产品皆以多路波导合成的方式获得大功率。在使用这些多路合成结构对大量功率器件进行功率合成时,一个或者多个器件的失效将对总体的输出功率造成多大的影响便成为了大家极其关心的性能指标。文章对固态功率合成器进行了理论的分析,通过计算推导出端口失效的模式。对两路合成器进行了仿真得到了失效50%会导致功率下降6dB的结论。并通过对八路波导合成功率放大器的失效模拟试验,验证了前面的计算分析。最后对试验中取得的数据进行比较分析得出了该数据在实际工程应用的作用。

简介：最近看到不少网站报道了NECN720是一款类似于N910、N916的圆形女性手机。实际从NEC的系列命名上也可以看出来，这款所谓的女性手机不可能是N7系列。低端市场的N1系列、商务手机N6系列、年轻一族的N7系列、时尚前沿的N8系列，以及专门为女性打造的N9系列，NEC已经把自己的手机体系划分得十分清楚，不会因为某款产品而打乱自己的规矩。

简介：

简介：无铅DIP焊接最难。无铅DIP焊接中，使用N2旨在减少锡渣量。升高焊接温度与Sn量增加时，锡渣量必然增多。

简介：去年底，华硕推出了大受好评的S5系列超轻薄型笔记本电脑，那个时候，华硕的产品经理对S5做介绍的时候就提到，未来会有内置光驱的M5系列面世，而且还向我们保证，M5同样轻薄、同样惊艳！当时的S5已经让我们很震撼，但加入了光驱的M5会是什么样呢？会更好？还是会破坏S5完美的曲线？脑子里面打了一个大大的问号。今天，解开这个谜团的时候终于到来了……

简介：一日，一学员拿来一台三星N188，除了开机键，所有按键失灵，可以开关机，电话可以打进来，但接不了，他说不知是什么原因造成的，在别处维修过，未修复，想拿来学校试试。我心里想，不就是按键失灵吗?小菜一碟。

简介：在前面我们的手机DIY中一直介绍的是西门子手机。的确，西门子手机有很大的DIY空间，但除了西门子的手机，其它手机也是可以的。那我们就来看看诺基亚N-gage这款手机。日前我在网上看见相关文章，于是就有想动手的想法。遇到一朋友刚好用陔款手机，经过同意，终于可以如愿以偿了。

简介：S5系列是华硕第一次采用12.1英寸的屏幕轻薄型机种，而S5的设计风格上似乎同以前华硕笔记本区别较大。目前S5有黑色与白色两种，今天介绍的既是一款白色的S5200N。

简介：2010年是复苏与回落并存的一年，虽然没有大的危机，但烦恼或许更多。我们的经济社会将会在2011年呈现出怎样的模样？这是每个人都急迫的疑问，对业界人士来说，它意味着对后危机时代变革趋势和商业机会的敏锐洞察与大胆展望。

简介：文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

简介：Inthispaper,weprovethatthe0/1balanceknapsackmodule2^Nisequivalenttothestandardblanceknapsackwithitsweightmatrixbeingtheuppertrianglematrix,itsnumberequalsto2^N(N-1)/2N(!),andtheitscomponent'snolinearcomplexityoftheoutputsequencebeingI.

简介：

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简介：最高的接触n类型有低操作电压的器官的地效果晶体管被采用Ta2O5/PMMA作为双绝缘体和PTCDI-C12作为半导体活跃的层。Ta2O5层被使用简单节俭的阳极化技术准备，PMMA层被使用纺纱涂层方法准备。与有单个Ta2O5绝缘体，有两倍绝缘体的设备显示出显然更好的电的性能。它有0.063厘米2/Vs,的地效果电子活动性1.7×1的开／关比率04和2.3V的阀值电压。

简介：Photoluminescenceevaluationofpandntype6H-SiCsampleshasbeendone.Resultsshowthatatlowtemperaturethephotoluminescenceof6H-SiCisclearlydominatedbydonor-acceptorpairtransitions,insomecase,free-to-donortransitioncouldbeobservedathighertemperature.Thethermalquenchingprocessesofthephotoluminescencehavebeeninvestigatedtodeterminethepossibleionizationnenergiesoftheimpurities.

简介：8310进水机经过超声波处理后正常使用了一周左右，又返修，其故障现象：用维修电源加电按开机键有50mA左右的电流反应，先查电源IC逻辑供电是否正常，在电容C205的非接地端测VFLASH—1其电压只有1．8V，查阅图纸，该点的电压正常值为2．8V，主供字库，再测VCORE只有0．8V(在电容C208非接地端测)正常值为1．5V，查阅此电压供CPU。再测VIO为0V(在电容C207的非接地端测)，VIO的正常值为1．8V，查图可知此电压供CPU、字库，造成VIO电压为0V的原因：一是电源IC坏、二是VIO滤波电容击穿、三是CPU内部短路。我先采用最简单的方法：用万用表蜂鸣档测VIO滤波电容C207时发出蜂鸣，断定是C207击穿所至，把C207取掉，再在C207焊盘处测VIO电压为1．1V，(如图1)：

简介：