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三星耗资
35
亿美元在美建300mm闪存晶片厂
作者:
陈裕权
学科:
电子电信
>
物理电子学
创建时间:2007-06-16
出处:
《半导体信息》
2007年第6期
简介:
标签:
闪存芯片
移动装置
存储器芯片
NAND
移动产品
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35
亿美元在美建300mm闪存晶片厂
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