简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。
简介:Sargent改进的Powell方法是曲线拟合中的一种重要方法。本文利用这种方法针对蕴藻浜特大桥沉降中的实测数据给出了五种模型下的沉降预测,这些模型包括双曲线斜率倒数模型、VanderVeen指数模型、宇都一马指数模型、龚帕兹模型、以及波松曲线模型,并发现这种方法对波松旋回模型和灰色系统模型适用性不强。