简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。
简介:针对多运动站的到达时间差(TDOA)和到达增益比(GROA)的辐射源定位问题,提出了一种无源定位算法。传统定位模型需要利用中间变量构造线性方程,不适用于多运动站连续定位。针对该问题,本文推导了无需中间变量的TDOA/GROA联合定位模型,然后根据量测模型推导了误差项,并推广到所有历史量测,提出了基于约束加权最小二乘(CWLS)的多运动站辐射源定位算法,最终通过对加权矩阵和约束矩阵进行广义特征值分解得到目标的状态估计。所提算法避免引入中间变量带来冗余的问题,无需初始化过程,性能更加稳健。仿真结果表明该算法性能逼近克拉美罗下界(CRLB)且是渐进无偏的。