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  • 简介:当孔壁表面温度超过环氧树脂的玻璃化温度时,会产生一层薄的树脂钻污近年来ROSH标准的实施及对电子产品的要求提高,更高Tg板材的使用越来越多本文希望通过实验,为合理选用溶胀剂提供参考:

  • 标签: 溶胀剂 多层板 工艺 胶渣 环氧树脂 玻璃化温度
  • 简介:镀锡层具有抗腐蚀性、无毒性和可焊性,被广泛应用于印制板领域。文章概述了应用于PCB镀锡过程中的电镀锡工艺种类和添加剂的发展状况。对各种镀锡的工艺和特点进行了归纳、总结,指出未来电镀纯锡仍将占主导地位。介绍了不同添加剂在镀锡中的作用,指出添加剂将由单一型向多样型发展,并对添加剂的应用进行了展望。

  • 标签: 镀锡 添加剂 甲基磺酸 印制电路板
  • 简介:刚挠结合印制板综合了刚性板和挠性板各自的优点,在电子电路技术中得到了广泛的应用。其工艺实现上主要的关键技术是材料匹配技术、多层板层间对位技术、层间互连技术以及软板区防损技术。

  • 标签: 刚挠结合板 材料匹配 层间对位 层间互连
  • 简介:在降低成本的因素驱动下,微型钻头钻径的结构发生明显工艺变化。PCB微细槽钻加工工艺变更前采用的等径焊接工艺,变更后采用大小平焊。变更可行评估评价指标:焊接强度、对比孔位精度、批次测试孔位精度及孔粗,极限测试断刀及脱焊、磨损情况。

  • 标签: 降低成本 等径对焊式 大小平焊式 孔位精度 断刀及脱焊
  • 简介:IBM发表了新型绝缘体材料配方,号称能有效提升先进工艺芯片性能与良率。IBM近日在美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会(InternationalReliabilitvPhysicsSymposium,IRPS)上发表了新型绝缘体。

  • 标签: 芯片性能 绝缘体 IBM 工艺 材料配方 IEEE
  • 简介:PEDOT:PSS直接电镀工艺对传统工艺进行了改造。改造后的工艺不仅比传统工艺减少了四个环节,而且将分离的两个时空合二为一,这样就缩短处理时间,提高了生产效率,最后我们还分析了影响镀层的质量和沉积效率的因素,这些因素完全是定量可控的,它们是我们进一步优化工艺参数和提高镀层质量的理论根据。

  • 标签: 直接电镀工艺 导电机理 质量改善
  • 简介:Cadence与台积电12日联合宣布,用于新的CadenceVirtuoso客户设计平台的台积电90nm射频工艺设计套件(PDK)已经面世。这一90nmRF工艺设计套件是台积电一系列工艺设计套件之一,支持Cadence最新的用于模拟、混合信号和RF器件设计的Virtuoso平台。

  • 标签: CADENCE 工艺设计 设计工具 VIRTUOSO 设计平台 器件设计
  • 简介:文章通过选择合适的刮胶、设计树脂塞孔模板、优化刮印及固化参数,利用丝网印刷技术进行电路板树脂塞孔的制作技巧。通过应用这些技巧实现了0.15mm-0.60mm孔径范围内高厚径比孔的无空洞、无凹陷塞孔。并对这些技术进行了实验验证。

  • 标签: 高厚径比 多孔径 选择性树脂塞孔 塞孔模板 塞孔刮胶
  • 简介:近日,芯禾科技宣布其三维全波电磁场仿真软件IRIS已通过GLOBALFOUNDRIES的22FDX工艺技术认证。该认证能确保设计人员在IRIS中放心的使用GLOBALFOUNDRIES22FDXPDK工艺文件进行设计仿真。

  • 标签: 仿真软件 技术认证 工艺文件 科技 EM IRIS
  • 简介:AvagoTechnologies宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已经达到32Gbps的性能,并且可以承受高达40dB的通道损耗,这个最新的SerDes核心不仅仅重新定义了芯片到芯片、连接端口和背板等接口可达到的数据率,并且反映了Avago为数据中心和企业应用提供领先解决方案的持续承诺。

  • 标签: SERDES CMOS工艺 性能 串行 解串器 连接端口
  • 简介:中芯国际集成电路制造(SMIC)将从2009年1月正式启动32nm工艺技术的开发。开发得以启动的原因是美国政府批准向SMIC提供32nm工艺技术。在得到美国政府许可后,SMIC将在该公司拥有尖端技术的全部工厂启动32nm逻辑工艺的开发。并且,该公司还有可能从2009年1月开始,利用SMIC在武汉的300mm晶圆生产线,启动32nm工艺闪存的研究开发。SMIC在此前已经与美国Spansion就探讨制造32nm工艺的闪存达成了协议。

  • 标签: 技术开发 工艺 国际 SPANSION 集成电路制造 300MM晶圆
  • 简介:引言微电子技术无论是从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响,都可以说是科学技术史上空前的,微电子技术已经成为整个信息产业的基础和核心。自1958年集成电路发明以来,为了提高电子集成系统的性能,降低成本,集成电路的特征尺寸不

  • 标签: 半导体器件 制造工艺 集成电路 微电子技术 CMOS器件 DS0I器件
  • 简介:介绍了一种任意层HDI板的制作工艺,针对该类板的制作难点进行分析并提出解决方法。以一种十层任意层HDI板的制作为范例,重点对该制作工艺的激光、线路和电镀等重要制程的控制参数、难点及注意事项进行了讲解,为同行各企业提高生产生产任意层HDI板的技术水平起到抛砖引玉的作用。

  • 标签: 任意层高密度互连板 激光 填孔电镀
  • 简介:台积电目前推出其最新版本的设计参考流程10.0版,能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10.0版系台积公司开放创新平台的主要构成要素之一,并能延续其实现更先进设计方法的传统,解决28纳米工艺所面临的新设计挑战,并有多项创新以促成系统级封装设计的应用。

  • 标签: 芯片设计 参考流程 纳米工艺 台积电 先进设计方法 创新平台
  • 简介:本文中介绍了一种速率为1.25Gbit/s的激光二极管驱动器的设计。为了保持工作中的稳定平均输出功率和恒定消光比,采用了温度补偿电路和自动功率控制电路。介绍了调制主通道的结构和其他功能模块的结构和实现原理,并介绍了部分电路和仿真结果。芯片采用0.35μmBiCMOS工艺实现.实测结果表明在+3.3V供电电压,1.25Gbit/s速率下,电路输出眼图清晰,可以提供5~85mA调制电流。可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。

  • 标签: 激光驱动器 自动温度补偿 自动功率控制
  • 简介:三星近日宣布,第二代10nmFinFET工艺已经开发完成,未来争取10nm产品代工订单将如虎添翼。三星第一代10nm工艺于去年10月领先同行导入量产,目前的三星Exynos9与高通骁龙835处理器均是以第一代10nm工艺生产。

  • 标签: 工艺开发 第二代 三星 第一代 处理器 高通