简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增
简介:O433.542006064900高灵敏度半导体激光吸收光谱技术=Highsensitivitydi-odelaserabsorptionspectroscopy[刊,中]/黄炜婷(华东师范大学光谱学与波谱学教育部重点实验室,上海(200062)),郝群玉…//半导体光电.—2006,27(3).—342—345以可调谐外腔半导体激光器为光源,结合光外差调制技术、浓度调制技术建立了一套高灵敏度半导体激光光谱测量系统。可用来开展对瞬态分子的高分辨光谱研究。还在实验和理论上研究了不同解词相位下信号的线型.给出了较好的解调相位。图4参11(严寒)