简介：提出了一种基于SOP24基板及生产工艺，利用空余的管脚焊盘放置被动元件实现内部互连，制作SiP封装集成电路的封装工艺。选择红外发射电路，使用HT6221红外编码器芯片、电阻、三极管等无源元件，制造出集成了驱动电路的红外发射芯片。建立开发平台对内部器件的布置进行优化，最终制作出工艺简单、性能可靠的SiP封装器件。用一个标准的SOP24封装组件实现了完整的系统功能，面积比系统级封装前减少50％，可靠性大幅度提高，用户使用该芯片开发产品的难度大大降低。

简介：随着电子产品集成度越来越高，器件对静电也越来越敏感，容易受静电放电导致损伤或损坏。文章介绍了静电的产生机理，阐述在生产制造过程中静电产生的来源以及危害。介绍了净化间内部抑制静电产生的三大措施：防止静电荷积聚，建立安全的静电泄放通路，以及采取静电监控设备进行静电监控。提出采用镀锡铜排环绕厂房内部的形式来消除静电防护死角，并重点描述了防静电门禁系统和静电在线监控系统的工作原理及功能实现，结合电子封装厂房结构特点，首次提出防静电门禁系统与凤淋门联动控制，有效控制封装厂房的静电来源。

简介：作者汇集国际会议相关外文论文，结合作者在华为等企业的工作实践，撰写此文，供同行参考。本文介绍了PoP（PackageonPackage）叠层封装的基本结构，SMT工艺模式和SMT组装工艺过程，重点介绍了PoP叠层封装的助焊剂／锡膏的浸蘸工艺过程，介绍了浸蘸锡膏材料及浸蘸锡膏的特性要求，PoP再流焊温度曲线的设定，对预制PoP~O在板PoP热循环疲劳结果分析。从底部填充材料选择、填充空洞、底部填充可靠CtgE3个方面介绍了PoP器件的底部填充效果和工艺。介绍了0．4mm细间距PoP器件的sMT组装工艺过程，及相关工艺参数的设定。介绍了0．4mm穿透模塑通孔（TMV）结构PoP器件的空气气氛下的再流焊工艺过程及相关工艺参数的设定。从对焊接缺陷、PoP封装各层状况和翘曲测量方面来介绍如何进行PoP器件的X线检测。从共面性和高温翘曲、温度循环、跌落冲击和弯曲疲劳4个方面介绍了0．4mmPoP器件的可靠性。本文最后介绍了PoP器件的清洗。

简介：文章通过C-SAM、X-RAY、SEM等对分层样品做了系统分析，发现了分层的机理以及分层对器件的破坏机理。研究表明：分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面，并有向整个芯片区域延伸的趋势；应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏，而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区，同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区，使互连发生短路而损坏器件。

简介：本文简要介绍了用于电子产品的发泡封装材料的发泡机理，配方组成，研制过程，性能测试等，该发泡材料具有良好的耐高低温性能，耐溶剂性、附着力及机械强度等。

简介：随着电子封装微型化、多功能化的发展，三维封装已成为封装技术的主要发展方向，叠层CSP封装具有封装密度高、互连性能好等特性，是实现三维封装的重要技术。针对超薄芯片传统叠层CSP封装过程中容易产生圆片翘曲、金线键合过程中容易出现0BOP不良、以及线孤（wireloop）的CPK值达不到工艺要求等问题，文中简要介绍了芯片减薄方法对圆片翘曲的影响，利用有限元（FEA）的方法进行芯片减薄后对悬空功能芯片金线键合（Wirebond）的影响进行分析，FilmonWire（FOW）的贴片（DieAttach）方法在解决悬空功能芯片金线键合中的应用，以及FOW贴片方式对叠层CSP封装流程的简化。采用FOW贴片技术可以达到30％的成本节约，具有很好的经济效益。

简介：发光二极管（LED）是一类可直接将电能转化为可见光和热等辐射能的发光器件，具有一系列优异特性，被认为是最有可能进入普通照明领域的一种“绿色照明光源”。目前市场上功率型LED还远达不到家庭日常照明的要求。封装技术是决定LED进入普通照明领域的关键技术之一。文章对LED芯片的最新研究成果以及封装的作用做了简单介绍，重点论述了封装的关键技术，包括共晶焊接、倒装焊接以及散热技术，最后指出了未来LED封装技术的发展趋势及面临的挑战。

简介：高密度封装技术的飞速发展也给测试技术提出了新挑战。为了应对挑战，新的测试技术不断涌现。本文主要介绍了几种新型测试技术的特点，并对未来测试技术的发展趋势及方向进行了初步分析。

简介：塑封集成电路在高可靠性领域应用越来越广泛，国内已有相当数量的塑封集成电路应用于国防领域。但是，目前大部分关键塑封集成电路依赖进口，采购渠道不是很通畅，市场中存在大量的翻新件。文章基于塑封集成电路封装工艺，简要介绍如何识别翻新塑封集成电路。

简介：<正>据《SolidstateTechnology》2003年第3期报道,美国北卡州三角研发园区的Ziptronix公司新开发了不同半导体界面材料的键合技术,将微机电系统(MEMS)和声表器件(SAW)进行全晶圆级的封装。这一工艺技术进行各种灵活且低成本的设计,并使MEMS与IC技术匹配,而无需复杂的结构、测试和组装,这一工艺技术约占MEMS元件成本的

简介：近年来，我国IC产业发展迅速，己成为国家经济发展的主要驱动力量之一。

简介：2008年标志着SEMICONChina的20周年纪念和中国半导体产业20年来的蓬勃发展，更是得可的40周年庆典。四十年来，这个引领行业最前端的批量印刷引领者，持续发展以提高其能力迎接客户无论现在还是未来所面对的挑战。

简介：

简介：系统级封装集成技术是实现电子产品小型化和多功能化的重要手段。国际半导体技术发展路线已经将SiP列为未来的重要发展方向。本文从新型互连技术的发展、堆叠封装技术的研究、埋置技术的发展以及高性能基板的开发等方面概述了系统级封装集成技术的一些重要发展和面临的挑战。

简介：微连接是电子产品制造中的关键技术之一,它既是实现芯片设计性能的重要途径,又是制约封装结构发展的瓶颈。微连接技术决定了封装结构的可实行性和可靠性,而随着芯片集成度不断增加,封装结构的创新也成为推动微连接技术发展的重要动力。该文通过对微连接技术及电子封装结构发展历程的研究,探究二者之间的相互关联,并介绍了微连接的几种特点以及几种常见的芯片焊接技术和微电子焊接技术,最后对电子封装结构及微连接技术的未来发展趋势进行了展望。

简介：<正>天水华天微电子有限公司表面贴装式集成电路封装生产线技改项目,日前通过了由信息产业部电子信息产品管理司和甘肃省经贸委邀请有关部门领导与专家联合组织的项目竣工评审验收,标志着天水华天微电子有限公司已成为我国西部集成电路封装产业化发展的重要基地。公司董事长肖胜利说,争取在2004年使封装能力达到20亿块,销售额达到3亿元以上;2004年～2005年,通过技术攻关和技术改造,切入BGA、CSP、FC、MCM等高阶层封装品种,使封装产能达到30亿块,年销售额达到四、五亿元;2006～2007年,在继续抓技术改造中,使封装产能达到50亿块,年销售额达到六、七亿元;到2010年,争取达到80亿块以上的封装规模和十亿元以上的年销售额。

简介：封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40g以上的加速度冲击和振动。

简介：为了能够实现通过集成所获得的优点,像高性能、低价格、较小的接触面、电源管理和缩短产品进入市场的时间,出现了针对晶圆级的系统级芯片(systemonachip简称SOC)和针对组件级的系统级组件(systemonapakage简称SOP).本文介绍了SOC和SOP的益处、功能和优点.

简介：飞兆半导体公司推出一款USB2，0开关——FSUSB30，在现今日趋小型化和复杂化的电子产品中，能够最大程度地节省线路板空间，并拥有最佳的下载性能。FSUSB30在尺寸极小（1．4mm×1．8mm×0．55mm）的UMLP封装中集成了业界领先的带宽（〉720MHz）、低导通电容（6pF）以及最高的ESD保护（8kV）功能，从而实现高数据传输率、更小的ESD效应及出色的信号完整性。FSUSB30甚至在最小尺寸的终端应用产品中也能节省空间。

简介：AMD在华宣布，随着其在苏州的封装测试工厂二期工程落成，预计到今年年底，在中国的封装产能将至少占AMD全球产能的一半，AMD战略布局中国市场的决心进一步凸显。