简介:ZEMAX和CODEV等光学设计软件,虽然有很强的优化功能,但如果想得到好的设计结果,初始解的选择至关重要。求初始解的普遍做法是,将已有的光学系统或其中某一个组元拿来进行缩放。这种办法带有盲目性。另一种方法就是利用高斯光学和三级像差理论求变焦距物镜的初始解。这一方法有助于创新设计,但却很少被应用。本文介绍了作者在运用这一方法过程中产生的观点、理念、经验和成果。本文通过一个十倍变焦距物镜设计实例,详细介绍了求初始解的过程,为了验证该初始解的效果,还用ZEMAX进行了像差优化。为了增加说服力,设计过程的每一步,都给出了具体的数据,包括经ZEMAX优化得到的最后结果。
简介:2003年,瑞典皇家科学院决定将该年度的诺贝尔物理学奖颁给AlexeiA.Abrikosov,VitalyL.Ginzburg和AnthonyJ.Leggett,以表彰他们对超导和超流理论开创性的贡献。
简介:结合第一性原理和准谐德拜模型计算了RE_3AlC(RE=Sc、Y及镧系稀土)系列具有反钙钛矿结构碳化物的德拜温度、格律乃森常数、体积模量、自由能、比热容等热物理性质随着温度和压强变化的趋势。结果表明RE_3AlC碳化物的比热容、体积模量以及吉布斯自由能等随温度和压强变化的总趋势相似,其中RE_3AlC碳化物的体积弹性模量随着温度的升高而逐渐减小,同时随着压强的增加而增大;吉布斯自由能都随着温度的升高而降低,其中Sc_3AlC化合物的自由能最低,而Yb_3AlC化合物的自由能最高,表明Sc_3AlC化合物最稳定,而Yb_3AlC化合物稳定性最低;等容比热容随着温度和压强的变化在0-300K温度段内变化较大,随后趋于平缓逐渐趋于杜隆.帕蒂极限值。
简介:目的:探索1T-MoS2(多型结构的二硫化钼)的除汞机制。方法:1.采用密度泛函理论(DFT)分析Hg~0在1T-MoS_2单层上的吸附机理。2.考察1T-MoS_2的不同吸附位置。3.对不同的吸附构型,研究电子吸附前后的变化,从而进一步了解吸附过程。结论:1.化学吸附是Hg原子与1T-MoS_2单层吸附的主导因素。同时,在所有可能的吸附位置中,T_(Mo)(在钼原子上方)的位置是最强烈的吸附构型。2.汞(Hg)原子在1T-MoS_2单层上的吸附受邻近的硫(S)和钼(Mo)原子的影响。3.吸附的汞(Hg)原子在1T-MoS_2的Tmo位置上会被氧化,其吸附能为-1.091eV。4.从局部态密度(PDOS)分析来看,Hg原子和1T-MoS_2表面之间的相互作用是由汞(Hg)原子的d轨道与硫(S)原子的s轨道及钼(Mo)原子的p轨道和d轨道重叠所致。
简介:TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
简介:P225.294021104脉冲激光测距中电子精密测量=Electronicaccuratemeasurementinpulselaserrange-finding[刊,中]/魏余灵,于善智,刘家鸣,刘桐镇(山东省激光研究所)//电子测量与仪器学报.-1993,7(1).-58~63阐述了恒定时触发器及计时内插扩展技术在脉冲激光测距中精度的提高及误差分析。图7参3(严寒)TB92194021105外腔半导体激光器大尺寸无导轨测长研究=Aresearchonlarge-scalemeasurementusingexternal-cavitysemiconductorlaser[刊,中]/武勇军,李达成,曹芒(清华大学精仪系),张汉一(清华大学电子工程系)//中国激光.-1993,A20(12).-906~909利用平面镜外腔半导体激光器和连续调频波技