简介：根据电磁波理论,对复合绝缘介质同轴结构的传输性能进行了分析,提出了复合绝缘介质同轴结构特性阻抗的共面补偿方法,推导了关键参数的计算公式,设计了3种模型;然后利用高频结构软件对设计模型的电压驻波比进行了模拟计算,并进行了对比分析,讨论了复合绝缘介质同轴结构设计中几个关键参数对电压驻波比的影响。模拟结果表明,提出的共面补偿方法适用于复合绝缘介质同轴结构的特性阻抗补偿,可以降低电压驻波比,从而提高同轴结构的传输性能。

简介：底片是射线检测的评判依据，但是容易受到环境的影响而发生变化（发霉、污损）；生产中大量的底片也不便管理和查阅。将底片数字化，可以实现无失真存储，稳定性高，更便于交流和分析，利用数字图像处理技术可对缺陷进行定量分析。

简介：针对电力系统实验不能在现场模拟操作而使学生能更好的了解电力系统的现象,研究设计了一种变电站直流系统绝缘监察仿真装置。该装置能模拟直流系统金属性和非金属性接地,利用警铃和光字牌的声、光效果来模拟直流接地时绝缘监察装置发出的音响信号和灯光信号,及早发现绝缘降低并处理。该装置能完成电气类学生的专业课实验,填补了本专业在直流接地方面教学中的空白,实现了学生能在课堂上操作模拟现场现象,将教学和现场实践有机结合,到达较好的教学效果。

简介：基于Thevenin原理，建立了一种多级串联磁绝缘感应电压叠加器（magnetically—insulatedinductionvoltageadder，MIVA）等效电路模型。依据磁绝缘限定条件，给出了MI—VA次级磁绝缘传输线（magnetically—insulatedtransmissionline，MITL）最小磁绝缘电流估计方法。仿真分析了12级串联MIVA电压和电流输出特性，结合X射线剂量率计算式，给出了X射线剂量率随次级MITL运行阻抗变化的分布规律。结果表明，多级串联MIVA输出X射线剂量率随次级运行阻抗的增大呈先增大后减小的趋势，MITL存在一个最佳运行阻抗，可使输出的X射线剂量率最大。基于Mendel和Creedon磁绝缘模型，对比给出了次级MITL几何阻抗的两种估计模型，结果表明，除第1级外，其余各级用两种模型估计的几何阻抗偏差系数均小于2％。

简介：为研究几十微秒脉冲作用下高压气体中绝缘材料的沿面闪络特性,研制了一个高电压绝缘测试平台。该平台通过高压电容对同轴线进行谐振充电,谐振倍压可达1.6,输出电压可达350kV,充电时间约30μs。在0.4MPa高压氮气环境下对平板结构的尼龙和有机玻璃沿面闪络特性展开实验研究,利用韦伯统计分析工具,发现闪络发生概率为0.1%时,有机玻璃的沿面最大电场强度是尼龙的1.64倍。分析了两种不同刻槽结构对有机玻璃沿面闪络电压的影响,发现半圆形刻槽能更好提升沿面闪络电压,因为这种结构更能抑制电子沿材料表面的运动。

简介：应用Onshell方法研究带缺陷的二维光子晶体,缺陷的引入使得原来不透电磁波的禁带中,出现了缺陷模,即某一频率的电磁波可以透过,计算表明缺陷模的频率与透过率随着缺陷的性质及缺陷两边的层数而改变

简介：利用数值方法计算了磁绝缘线振荡器（MILO）主慢波结构谐振腔和扼流腔的谐振频率和场分布，得出慢波结构谐振腔谐振频率的一些变化规律：随着叶片内半径的增大、叶片外半径的减小、叶片周期的减小以及叶片间距的减小，谐振腔TM01模式截止频率升高；而阴极半径的变化对截止频率几乎无影响。当主慢波结构腔内半径为4．6cm，扼流腔内半径为4．2cm，阴极半径为3cm时，MILO工作在3．“4．4GHz频率范围，扼流片可以阻止微波功率向脉冲功率源泄漏，这有利于提高器件微波输出的效率;

简介：利用精确对角化的方法求解了一维光学超晶格中的玻色-赫伯德哈密顿量,发现体系的量子相变依赖于比值U/J。U/J由零开始增大,超流态逐渐被破坏,系统由超流态向模特绝缘态转变。当U/J≧2.25时体系变为模特绝缘态。

简介：随着涡流检测技术的不断发展，不仅要求准确检测出缺陷，且还需对缺陷进行定量、定性评价。涡流检测中阻抗信号变化是进行缺陷检测和定量分析的依据：测量或计算缺陷的阻抗信号，称为涡流检测的正向问题；从阻抗信号推断出缺陷的定量定性特征，则是逆向问题。借助于有限元模拟方法，对涡流检测时的正向问题进行了求解计算；利用傅里叶变换和神经网络方法，对涡流检测时的逆向问题进行了分析。

简介：数字图像处理技术的应用，有力地促进了缺陷定量分析与射线检测的自动化。但大多数射线检测图像噪声大、对比度不高、存在较大的背景起伏，缺陷图像的准确分割、提取则成为实际应用中的难点和关键。射线图像中缺陷的存在，在其邻域形成灰度差异；可由边缘检测方法得到相应的边缘点（奇异点）。在图像边缘检测中，一般认为在较大空间尺度（边缘检测模板）下能可靠消除误检，得到真正的边缘点，但不易对边缘精确定位：在较小尺度下对真正的边缘点定位比较准确，但对噪声敏感，误检的比例会增加。多尺度小波分析的引入，可得到比较满意的结果。用不同的小波基分析同一个问题会产生不同的结果，因此小波分析在工程应用中的一个十分重要的问题是如何选取最优小波基。双正交小波基具有紧支性和线性相位：紧支性表明不需做人为的截断，应用精度很高；线性相位可避免信号在分解和重构时的失真；小波基连续可微，这对于有效发现信号的奇异点是必要的。

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：利用传输矩阵法理论，研究介质光学厚度对一维光子晶体（AB）5（ACB）2（AB）5缺陷模的影响，结果表明：随着介质A、B或C的光学厚度按奇数倍、偶数倍增大时，光子晶体主禁带中的缺陷模均向禁带中心移动，出现缺陷模向禁带中心简并的趋势，且光学厚度按奇数倍增加时简并的趋势更明显，同时缺陷模移动速度以A介质光学厚度奇数倍增大时为最快；当介质A、B或C的光学厚度按奇或偶倍数增大到一定数值时，均出现对称分布于禁带中心两侧的新缺陷模，而且光学厚度按偶数倍增大时出现的新缺陷模要比偶数倍增大时的快。介质光学厚度对光子晶体缺陷模的影响规律，对光子晶体设计窄带多通道光学滤波器件、高灵敏度光学开关等具有积极的参考意义。

简介：在冲击动态加载破坏下，金属材料会产生微孔洞、微裂纹和位错等微结构缺陷，这会明显影响材料的某些性能。采用中子小角散射技术研究了冲击加载前后合金材料微缺陷的变化。实验样品分别是以Al和Mg为基体、含有少量其他元素的两种圆柱状合金材料，将样品用不同速度的钢弹冲击，测量样品为加载前、后合金材料共计4个。

简介：本文利用时域有限差分法，在T型光子晶体波导内引入缺陷，改变介质柱缺陷半径的大小、位置来研究T型光波导两个输出端口的透射率。得到了引入对称缺陷的透射谱，以及引入非对称缺陷时两输出端透射比随波长的变化关系，最大透射比过到八比一。结果表明引入柱缺陷可以改变光波导的透射率，很好的控制光的传播，研究结果对光通信用光分柬器和多路光分复用器的设计有着一定的理论指导意义。

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：文章采用日本产的ＣＮ１５１１８及扫描型双晶形貌测角仪直接拍摄了ＭＢＥ生长的Ｇａｌ－ｘＡＬｘＡｓ／ＧａＡｓ外延层和衬底层的形貌像，观察到面层中存在失配位错，单方向位错线晶面取向差等缺陷。并比较了生长温度对外延层质量的影响。

简介：不良导体导热系数的测量是本科大学物理实验教学的一个重要内容,本文针对仪器的结构缺陷进行分析,并提出实验装置改进建议。

简介：运用光学传输矩阵理论,深入研究了由一种各向异性材料组成的一维光子晶体中TE模式和TM模式中缺陷态的频率分布与缺陷层宽度之间的关系。与布拉格带隙相比,这种新型的光子晶体可以通过改变偏振方向实现缺陷态密度的改变。得出将高折射率层与外界接触时态密度最低并最适合于滤波特性的结论。对制作偏振变化滤波器方面和缺陷宽度控制滤波频率方面有重要的指导意义和应用价值。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。