学科分类
/ 2
33 个结果
  • 简介:喷洒的Zn和Zn15Al涂层被选择保护对的高张力水泥(PHC)的结束输送的金属的弧在东北中国在北瓷器和中立草地土壤对盐咸滩土壤的腐蚀堆。在二个模仿的土壤答案的涂的Q235钢样品的腐蚀行为被potentiodynamic极化和电气化学的阻抗光谱学(EIS)调查方法。试验性的结果证明在两个都模仿的答案的矩阵Q235钢的腐蚀被Zn和Zn15Al涂层显著地禁止。Zn和Zn15Al上的腐蚀产品厚、紧缩、坚挺、保护。Zn和Zn15Al涂的样品的腐蚀水流密度icorr与腐蚀时间,和费用转移电阻Rct显然被减少极大地被增加。在模仿的中立草地土壤答案的Zn和Zn15Al的腐蚀电阻索引是比在盐咸滩土壤的那些更突出的。在盐咸滩土壤的Zn15Al的腐蚀电阻比Zn的稍微优异。当喷洒的涂层与环氧基树脂树脂被封上时,涂层的腐蚀电阻进一步显著地被提高。

  • 标签: 电化学腐蚀行为 涂料选择 草甸土 涂锌 中性 土壤
  • 简介:日本筑波大学生物环境系蓑田步助教等人发现,生长在日本草津、登别等硫酸性温泉中的红藻可有效吸收强酸性金属废液中含有的低浓度(0.5-5ppm)稀土。在适当条件下对红藻进行培养,红藻细胞内部即可积蓄稀土。只要具有细胞生存的条件,就可有效回收微生物回收法难以回收的酸性溶液中的低浓度稀土。

  • 标签: 强酸性 稀土 红藻 吸收 温泉 生长
  • 简介:在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼(Li3N-hBN)体系中合成立方氮化硼(cBN)单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂(Li3BN2)组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来.

  • 标签: 立方氮化硼 生长界面 静态高温高压法 HRTEM XPS 生长机理
  • 简介:运用动力学蒙特卡罗方法模拟两种原子组成的薄膜外延生长时形成纳米团簇的过程。通过分析原子相互作用能和相分离的关系,发现动力学影响对纳米团簇的形貌起主导作用。给出原子发生分离时相互作用能满足的条件为(EAA+EBB-2EAB)〉0,动力学MonteCarlo模拟结果也同样显示,在适当高的温度范围内,当两种原子的相互作用能满足(EAA+EBB-2EAR)〉0条件时,分子外延薄膜生长会趋于相分离进而形成纳米团簇。

  • 标签: 动力学蒙特卡罗模拟 处延生长 纳米团簇 相分离
  • 简介:采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长

  • 标签: 金属有机化学气相沉积 氮化铝 非晶层
  • 简介:据报道,近期,同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓(β-Ga2O3)单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶,X射线双晶摇摆曲线半高宽27”,位错密度3.2×10^4/m^2,表面粗糙度〈5A,该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

  • 标签: 单晶生长 宽禁带半导体 β-Ga2O3 自主知识产权 电力电子器件 表面粗糙度
  • 简介:丹麦哥本哈根大学尼尔斯·波尔研究所纳米科学中心和瑞士洛桑联邦理工学院的科学家证明,单根纳米线可聚集的太阳光强度能达到普通光照强度的15倍。这一令人惊讶的研究成果在开发以纳米线为基础的新型高效太阳能电池方面潜力巨大,有可能使太阳能转换极限得以提高。相关论文发表在《自然·光子学》杂志上。

  • 标签: 高效太阳能电池 光照强度 纳米线 光强度 聚集 单根
  • 简介:在液相环境中,利用纳秒(ns)脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe(Cr^2+:ZnSe)微米颗粒,制备出Cr^2+:ZnSe纳米粒子,扫描电镜以及X射线衍射检测,结果显示,制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2+:ZnSe纳米粒子,观察到中心波长为2180nm、阈值为0.4mJ/pulse的随机激光效应。相比于Cr^2+:ZnSe晶体激光器,纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移,Cr^2+:ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2+:ZnSe晶体要短。

  • 标签: Cr^2+:ZnSe 随机激光 纳米材料 中红外激光
  • 简介:Er^3+-dopedSrBi4Ti4O15-Bi4Ti3O12(SBT-BIT-xEr^3+,x=0.00,0.05,0.10,0.15and0.20)inter-growthceramicsweresynthesizedbythesolid-statereactionmethod.Structural,electricalandup-conversionpropertiesofSBT-BIT-xEr^3+wereinvestigated.Allsamplesshowedasinglephaseoftheorthorhombicstructure.RamanspectroscopyindicatedthattheEr^3+substitutionforBi^3+atAsitesofthepseudo-perovskitelayerincreasesthelatticedistortionofSBT-BIT-xEr^3+ceramics.ThesubstitutionofBi^3+byEr^3+leadstoadecreaseofdielectriclosstanδandanincreaseofconductivityactivationenergy.Piezoelectricconstantd33wasslightlyimproved,butdielectricconstantwasdecreasedwiththeEr^3+doping.TheSBT-BIT-xEr^3+ceramicwithx=0.15exhibitstheoptimizedelectricalbehavior(d33~17pC/N,tanδ~0.83%).Moreover,twobrightgreen(532and548nm)andonered(670nm)emissionbandswereobservedunderthe980nmexcitation.Optimizedemissionintensitywasalsoobtainedwhenx=0.15fortheSBT-BIT-xEr^3+ceramic.Therefore,thiskindofceramicsoughttobepromisingcandidatesformultifunctionaloptoelectronicapplications.

  • 标签: inter-growth structure ELECTRICAL property multifunctional optoelectronic