简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：日本AsahiDenka和Kanasai电力公司日前开发出一种耐400℃的绝缘树脂。其中一品种牌号为“纳米树脂KA-100”，其为以聚硅氧烷为主要成分的热固性树脂，其重要特征为能粘结各种不同分子结构的纳米级化合物，故实用与潜能较可观。如将其用于SiC变换器能使发电功率达100kVA，

简介：微管道（MP）一直是SiC晶体中的主要缺陷。其它的结构缺陷有：位错，堆垛层错和本征点缺陷及其与杂质所形成的复合体。除高质量晶体外，具有平滑的、无缺陷表面的衬底对于生长出器件级高质量外延层也很关键。晶片加工过程中可能在衬底表面上感生出缺陷（例如划痕或亚表面损伤），它们对随后所生长的外延层及所制器件都有很不利的影响。

简介：2003年我国绝缘材料产量达到230kt，比2000年增长35％以上。我国已成为世界绝缘材料的主要产地。

简介：阐述管道腐蚀缺陷各种评价方法的理论基础，以用于分析因塑性破坏机制而在内部压力和轴向荷载共同作用下失效的中-高韧性钢材腐蚀缺陷的弹塑性行为的分析模型、给出相应评价方法的公式。并对国内外腐蚀剩余强度评价模型进行初步比选，确定最优的腐蚀缺陷评价方法。为此选择某条输油管道在试运行阶段发生的腐蚀缺陷为案例进行评价得出结果，根据相应的规范制定相应的维修计划，用于以最低的保守程度预测内部压力下单个缺陷的剩余强度，进而显著降低管道维护和修理成本。

简介：针对目前国内外金属板材表面缺陷检测技术的进展，通过分析板材中常见的缺陷形式，介绍了金属板材表面缺陷检测的常用技术。主要论述了机器视觉表面检测技术中在线检测的应用及发展，并展望了检测技术的发展动向。

简介：据物理学家组织网12月13日（北京时间）报道，一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了“拓扑绝缘体”（TI）。这是首次用压力逐渐“调节”一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。

简介：石墨烯研究小组获得了2010诺奖，许多研究者对其进行了研究分析和预测。作为二维材料，石墨烯是一个基于石墨构筑单元结构。文章的量子理论计算显示，悬浮石墨烯的稳定尺寸受到量子隧道效应限制，制备超过100微米以上稳定光滑的单层悬浮石墨烯可能性极小。在衬底上石墨烯可以获得高达30英寸以上的尺寸，但是它会容易发生卷曲和破损以获得再次稳定。多层石墨烯尺寸达到数百微米后，基于同样的原因很难分层获得完美光滑的石墨烯。