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16 个结果
  • 简介:简述了超MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超理论的一些新型功率器件。

  • 标签: 功率MOSFET 超结MOSFET 通态电阻 击穿电压 硅限
  • 简介:高电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更加严格的要求,具有高导热及良好综合性能的新型封装材料的研究和开发显得更加重要。本文综述了一种新型的封装复合材料环氧树脂,碳纤维复合材料。对复合材料的热传导性能.电传导性能以及热机械性能进行了分别讨论。

  • 标签: 封装材料 封装技术 电传导 快速发展 电子 性能
  • 简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

  • 标签: 微波集成电路 SiGe异质结双极晶体管(HBT) 器件参数 带宽
  • 简介:介绍了一种应用于脉冲中子时间谱测量的新型亚纳秒有机闪烁纤维中子探测器,叙述了这种中子灵敏型探测器的探测原理,详细阐述了探测器的结构设计及具体的制作工艺,并给出了达到的技术指标.同时报道了为制作探测器而研制的一种新型亚纳秒有机闪烁纤维,介绍了闪烁纤维的选材、制作及其时间响应特性.

  • 标签: 有机闪烁纤维阵列 中子灵敏度 时间响应 中子探测器
  • 简介:一、电子玻璃纤维是覆铜板的关键原材料1、覆铜板的构造、用途及分类覆铜板是在绝缘基体上,单面或双面覆盖一层铜箔经热压而制成的一种板状材料。其唯一的用途就是制造印制电路板,而印制电路板则是任何电子整机,部件离不开的电子器件,用以安装电子元件并实现元件之间的互连或绝缘。所以现在上至航天航空、遥测、遥控,下到日常离不开的计算机、手机,各种家电、儿童电子玩具等等,在国民经济、人民生活各个领域,各个范围,都离不开印制电路板和覆铜板。

  • 标签: 玻璃纤维布 电子整机 覆铜板 印制电路板 电子元件 电子器件
  • 简介:鲁阳股份总部设在山东济南,下设六家子公司,在全国设有56个办事处.为了加强对子公司和办事处的管理。近日,鲁阳集团经过考察、对比和试用,选择了视高(Seegle)视频会议系统.通过网络来进行日常的沟通协调.组织召开各种会议。

  • 标签: 视频会议系统 上市公司 纤维行业 陶瓷 山东济南 试用
  • 简介:用粘贴法在1700℃燃气梭式窑内衬贴BOS纤维板,板厚10/14毫米,升温时可节能25%,窑内温度均匀性可提高37.5~50.0%,并从理论上对此效果作出定量分析。

  • 标签: 节能 BOS纤维板 高温窑炉 温度均匀性
  • 简介:<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

  • 标签: 导通电阻 逆变器 栅源 马达驱动 正向电压 反向恢复时间
  • 简介:无论对哪种封装,新一代600V超MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

  • 标签: 大功率 硬开关 拓扑电路 MOSFET 功率转换电路 AC/DC
  • 简介:本文简要介绍了超高模量聚乙烯纤维材料的性能,详细分析了超高模量聚乙烯纤维增强塑料杆的弯曲性能、拉伸特性和简单识别方法;通过将超高模量聚乙烯纤维增强塑料杆用作蝶形引入光缆的加强构件,验证了其在蝶形引入光缆中应用的可行性。

  • 标签: 纤维增强塑料 超高模量 引入光缆 聚乙烯 蝶形 应用
  • 简介:仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大面积型的MOSFET相比,这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。

  • 标签: MOSFET器件 电压等级 平面型 最优化 AC/DC 竞争
  • 简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体二极管的新型超器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

  • 标签: 体二极管 器件综合 应用 硬开关 功率MOSFET CFD技术
  • 简介:周从阳,男,2008年进入中国联通重庆北部新区分公司,成为一名维护人员,他始终把“客户满意就是对我最大的认可”这一座右铭作为追求目标。在平凡的岗位上,从事平凡的工作,但从他平凡的封面却能感受出他不平凡的一面。

  • 标签: 重庆联通 电信服务 用户满意 青春 明星 中国联通