简介：提出了一种基于FPGA和T6963C模块来控制液晶显示的实现方法,介绍了液晶显示控制器T6963C的性能特点,给出了FPGA与液晶显示屏WG240128B的硬件接口电路、软件设计流程和液晶显示程序。

简介：遵照党中央国务院和中央有关部委关于加速培养高级技能人才的指示和服务于劳动者、服务于用人单位的宗旨、经国家工业和信息化部电子行业职业技能鉴定指导中心审查批准，工业和信息化部利威健电子技术职业技能鉴定培训中心，应有关企业和行业从业人员的要求，

简介：2006年10月26日至29日中国电子学会生产技术学分会在江苏常州召开了第三届青年印制电路学术年会，有170多位从事印制电路生产、科研的科技人员参加了会议，中国电子学会生产技术学分会名誉理事长郭桂庭、理事长毕克允参加了大会，并作了重要发言。

简介：晶闸管投切电容器（TSc）由于控制简单，成本低廉，在实际中得到了广泛的应用。本文介绍了基于dsPIC30F6014的数据采集系统和S3C44BOX的主控系统构成的无功补偿控制器的工作原理，并提出了采用DMA的方式实现上位机和下位机的通讯，提高了CPU的利用率。结果表明，本无功补偿控制器具有良好的补偿效果。

简介：在纽伦堡举行的2006年电子功率器件、智能传送、电源质量博览会（PCIM2006）上，英飞凌科技公司（FSE／NYSE：IFX）推出了全新紧凑型IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块家族，为各种工业传动装置以及风车、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源及供暖系统传动装置，提供优化型功率转换器系统解决方案。基于创新型封装概念的全新PrimePACK^TM模块，充分发挥了英飞凌新一代IGBT4芯片的优势。

简介：本文阐述电力电子的应用领域和未来电力电子系统的预研课题：Ⅰ.工业系统集成Ⅱ.汽车的机械电子集成和Ⅲ.高频电力电子。

简介：电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展。

简介：介绍PLC应用中软件滤波功能、方法，以及台达PLC在自动控制中软件滤波程序应用。

简介：化学沉银是近年新兴起的印制板表面处理工艺，预料沉银和浸锡会成为下一代主流的表面涂覆工艺。本文概述化学沉银工艺流程、工艺参数、制程要点，质量要求等，同时结合生产实际，对沉银工艺影响因素，常见问题及解决方法阐述了自己的实践应用体会。

简介：介绍了一种静止变换器数字化控制的实现方法，它以TMS320LF2407A数字信号控制器为核心，取代了传统的模拟控制，具有较好的动态和静态性能。

简介：介绍ANALOG公司生产的实时压缩视频编解码电路ADV611／612的原理、特点及应用。ADV611／612内含SRAM及主处理器接口，其主要理论基础是小波变换、游程编码及哈夫曼编码。

简介：以EPROM2764为例，介绍如何用存储器实现组合逻辑电路，拓展了存储器的应用领域。

简介：近几年来，我国高度重视节能工作，在国家十·一五规划明确提出“单位GDP能源消耗降低20％”要求。国家发改委能源研究所研究提出，减少能源需求三种措施，其中节能需要减少60％。

简介：给出了利用有限状态机控制A／D采样的设计方法，并通过状态机和单片机来对A/D采样速度进行了比较和具体分析。最后给出了用状态机对ADC0809进行采样控制的设计方法的软件程序代码。

简介：本文较全面地介绍了近年来发展起来的叠层型式片磁珠的基本特性、制造工艺技术、尺寸系列和性能类别。最后列举了叠层型片式磁珠在计算机、移动通信等电子产品中的应用实例。

简介：随着计算机技术、信息技术、激光技术和新材料技术的迅速发展，从20世纪后期，成像技术从模拟成像进入了数字成像新时期，数字成像的应用领域也在快速的拓宽。数字成像技术在照相上应用除了数码相机、数码冲扩机、数码摄像机外还发展为网上冲扩通过互联网受理影像打印服务。数字成像技术在医疗诊断中的应用，利用CCD图像传感器把X射线拍摄的图像数字化，

简介：电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展

简介：介绍X1228型实时时钟电路在车速里程表中的应用，以实现系统实时记时、数据存储和实施报警等功能。给出X1228与ATMEL公司的AT89C系列单片机的接口电路和编程方法。

简介：在现代电源的应用中，需要利用高效、高可靠性的高压开关器件来提高效率。但是要么是很少可以找到耐压大于1000V的MOSFET，要么就是耐压高的MOSFET，其RDS（on）也很大，这使得MOSFET的导通压降也很大，这是我们不希望看到的。双极性MOSFET是结合了MOSFET和IGBT优点的开关元件。本文主要对制造BiMOSFET的新工艺方法以及它的非外延型结构进行了说明。

简介：本文概述了国内外金属基板的市场发展状况、应用领域、产品的主要性能、市场发展趋势及技术标准。