简介：立体、3D、三维，还是3D立体？人的左右眼观看一个对象．两眼所见角度稍有差别，在视网膜上形成的像并不完全相同，这两个像经过大脑综合以后就能区分物体的前后、远近，从而产生立体视觉。利用这一原理，在上个世纪，电影制作者就开始采用两台胶片摄影机在一定的间距上拍摄同一场景，

简介：本文介绍了上海移动新卢湾15环6个汇聚点10Gbit／s设备改造安装工程，并对工程中施工难点和问题做了阐述。

简介：利用1×4光纤耦合器制成了4×10Gbit/s的光时分复用器,并对由该光时分复用器产生的40Gbit/s光信号进行了实验研究,分析了造成复用信号幅度随机波动的原因及改进方法.实验表明,改进后的40Gbit/s光信号波动很小,已经达到OTDM系统要求.

简介：IPCWorksAsia2009即将于2009年10月26日在深圳拉开帷幕。今年的活动包括：主题技术研讨会、IPCTGAsia技术组会议、IPC会员免费CIS级别培训、IPC175X材料声明系列标准精解讲座、IPC7351／7251讲座、高效实用的高速印制电路设计方法讲座、IPC020／033讲座等精彩的技术内容。

简介：2008年的8月，发生了一件足以影响视频未来发展的大事：并不熟悉动态视频拍摄产品的尼康公司在全球发布了世界上第一款可以拍摄720P高清视频的单反相机D90，一时间在国内外的视频制作领域掀起了阵阵波澜。随后有不少单反相机厂商迅速跟进，纷纷推出能够拍摄高清视频的单反机型。此种设备在全球风靡，究其原因不得不提到他们与传统摄像机相比“超大”的传感器和丰富的可换镜头群，电影般浅景深的画面效果直接让稍有视频审美经验的从业者羡慕不已。

简介：为研究中性点不接地系统和经消弧线圈接地系统发生金属性单相接地时的暂态故障特征信息,文章利用MATLAB系统搭建了一个10kV小电流接地模型,通过该模型对金属性单相接地故障进行了模拟,分析了小电流接地系统故障时暂态过程中的零序电流的特征信息。

简介：研发了3.3kV高速IGBT模块。优化寿命控制极大降低了关断损耗和恢复损耗。该高速特性适用于双向和中频应用,例如谐振DC/DC转换器。展示了谐振DC/DC转换器模拟电路中IGBT的开关行为和二极管的反向恢复行为。显然,这种新设计的模块具有比传统高速模块更低的损耗,因此更适合与双向和中频应用。该设计概念也可用于6.5kVIGBT模块设计。另外,对谐振DC/DC转换器模拟电路,将新设计模块中二极管的损耗与3kV-SiC-JBS损耗做了比较。

简介：随着科学技术水平的不断提升,我国各行各业进入了新的发展阶段,电网系统建设更是呈现出了新的特点。110kV输电线路距离长,多在山地、平原或者旷野,极易受到雷暴影响,110kV输电线路在遭受雷击时会导致绝缘子串闪络进而被毁坏,甚至是出现输电线路跳闸以致停电等事故。鉴于此,对110kV输电线路的防雷措施有必要进行一定的研究。本文探讨了110kV输电线路防雷技术应用中的相关问题,具有一定借鉴价值。

简介：本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理，分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响，以及结构参数之间的相互制约关系。对6．5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化，给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺，样品测试结果表明，6．5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。

简介：随着社会科技的不断发展，在线监测技术和数据系统已被广泛使用，110kV输电线路运行的检修是十分重要的，它能确保110kV输电线路的正常运行，本文就110kV输电线路运行的检修方法进行分析，探讨110kV输电线路运行检修的方法。

简介：摘要：目前５００kV断路器保护以微机保护装置为主，其可靠性已相当高，但某些回路需要与其它外部回路连接，特别是跳合闸(断路器跳、合位监视)等回路，不仅电缆长，还与断路器的辅助节点关联，因此辅助节点不切换、电缆受潮或被损坏等因素均有可能导致５００kV断路器保护在实际运行中可靠性降低，甚至烧毁保护装置(操作箱)中的元件。如果是由外部回路导致保护装置元件损坏是很难被及时发现的，从而导致保护装置“带病运行”。这对新建变电站的调试而言，可能会误导调试人员的判断，甚至不能及时发现问题设备；对运行变电站则可能会导致保护的拒动或误动，同时也会使检修人员的工作出现偏差。

简介：经总装备部批准，“2013年世界雷达博览会”将于2013年10月16日-18日在北京展览馆隆重举行。

简介：英飞凌科技于9月23日宣布其中国发展策略又向前推进一大步，英飞凌科技(苏州)有限公司的苏州封测厂正式落成。新厂于2003年10月开始建设，首批存储器产品将于2004年底走下后端生产线，批量生产计划将于2005年初开始。

简介：虽然最近两年来我们一直说处于一个高标清过渡的时期，事实上细心的人们会发现，在北京的专业应用市场上，标清摄像机已难觅其踪影。

简介：<正>美国Gartner公司近日公布的关于今后半导体行业动向的调查结果显示,半导体行业目前存在数量庞大的供应商队伍,这导致了过度竞争,今后10年内可能有约40%的供应商将撤出该领域。Gartner列举了今后半导体行业的5大趋势:①促进设备整合(维持摩尔法则);②增强制造规模和制造量;③从企业市场向消费者市场过渡;④扩大服务商的

简介：三星电子日前宣布，公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：Ahera公司近日宣布推出lO代FPGA和SoC（芯片系统），帮助系统开发人员在性能和功效上实现了突破。10代器件在工艺技术和体系结构基础上进行了优化，以最低功耗实现了业界最好的性能和水平最高的系统集成度。首先布发的10代系列包括Atria~10以及Stratix~10FPGA和SoC，具有嵌入式处理器。

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：Altera公司日前发布面向Stratix10FPGA和SoC的早期试用设计软件，这是业界第一款针对14nmFPGA的设计软件。客户现在可以启动自己的Stratix10FPGA设计，采用Stratix10HyperFlex体系结构和Intel14nm三栅极工艺，率先体验内核性能两倍的提高。在这一设计软件中，Altera引入了Hyper—Aware设计流程，包括创新的快速前向编译功能，支持客户快速研究设计性能，实现性能突破。