简介:<正>据中国电子材料网引用PCBA报导,在2005年11月9日于东京举行的"第16届微机械展"上,富士电机系统公司展出了使用硅的印刷电路板"IMM"(In-telligentMicroModule)。IMM使用硅工艺技术生产。可实现最多3层的多层布线,同时还可以嵌入电容器和电阻。布线宽度为5μm-50μm。因为IMM与LSI共用硅底板,线膨胀系数相同,所以基本上不会出现因温度等因素变化而引起的LSI从IMM上剥落的问题。IMM主要面向医疗、计量及网络设备等领域。在IMM上封闭有裸片或采用BGA封装的LSI以及被动元件。富士电机系统在MEMS压力传感器和放射线传感器等的生产线上生产IMM,可将这些传
简介:反向阻断型IGBT(RB-IGBT)是一种具备承受正反向电压能力的新型器件,以它为基础,本文研究了一种4kW,可控相移全桥零电流关断(ZCS)DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析,如工作阶段分析和零电流关断的条件,随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。