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  • 简介:电力电子器件是构成电子电源设备的基础,是从事UPS供电系统的设计、研发、生产和应用的电源技术工作者应当熟悉的内容。尤其是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)现已广泛应用于电源设备中。本刊从今年1月份起以“IGBT的原理与应用”为题开展技术讲座,以满足广大读者选好用好这类器件的需求。

  • 标签: 结构原理 IGBT 应用 特性参数 电力电子器件 绝缘栅双极型晶体管
  • 简介:对变电站直流电源特性测试系统的基本组成、工作原理进行了分析,根据实际需求对测试系统进行了设计,并利用设计的测试系统对变电站直流电源进行了测试试验,试验证明,该系统可以实现变电站直流电源的稳压精度、稳流精度、波纹系数和充电程序的测试。

  • 标签: 变电站直流电源 稳压精度 稳流精度 纹波系数 充电程序
  • 简介:在理论方面,作者应用COM理论分析研究了纵向耦合谐振滤波器通带波纹大小和耦合换能器与输入/输出换能器间距离的关系。在工艺上,作者采用剥离工艺制作了相应的纵向耦合谐振滤波器,并给出了所设计的纵向耦合谐振滤波器频率响应的测试结果。实验测得样品滤波器中心频率为895MHz,1dB带宽40.5MHz,阻带抑制达到47dB,插入损耗3.8dB,通带波纹小于0.9dB。实验与理论分析比较一致。

  • 标签: 耦合谐振滤波器 滤波器 COM
  • 简介:详细分析了脉冲位置相位翻转键控(3PRK)已调信号的功率谱特性,指出离散谐波是影响3PRK已调信号边带衰减的主要因素,提出利用周期信号谱线特性去除3PRK信号离散谐波分量的方法,并进行了仿真验证。仿真结果表明,经过优化后的3PRK信号仍然保留了相位翻转特性,且其边带低于-60dB,满足超窄带调制要求,达到了优化的预期效果。

  • 标签: 频谱利用率 带宽 相位翻转 波形优化
  • 简介:使用矩阵随机过程对短程无线信道的空时特性进行研究。以随机矩阵的列向量描述信道的仰角自由度,行向量描述信道的水平角自由度。使用自由布朗桥过程产生的样本描述无线信道中的多径分量的传播轨迹,在一定的映射规则下可以得到反映无线信道空时特性冲激响应的传统模型和矩阵随机过程模型。对无线信道的空时特性进行了仿真分析,仿真结果表明,自由布朗桥过程所描述的完全随机的约束环境中,多径分量的波达方向在仰角和水平角维度上显示出一定的局部偏好性。

  • 标签: 无线通信 多径信道 随机桥过程 随机矩阵 信道模型
  • 简介:研究了含有缺陷的类似于谐振腔结构的光子晶体滤波特性,由于这种复周期结构的可调参数多,人们很容易得到在红外波段1550nm3dB附近窄带滤波窗口,透过率可达到近93%,而窗口以外的透过率在0.02%以下,当改变中间夹层厚度时,窄带滤波窗口的通道数和带宽发生改变.因此,它在CWDM中将得到很好的应用.

  • 标签: 滤波特性 CWDM 窄带 谐振腔 缺陷态 复周期结构
  • 简介:在航空变频电源供电的飞机上,自耦变压整流器(AutoTransformerRectifierUnits,简称ATRU)是一个重要设备,它的工作特性会受到电源频率的影响。论文通过仿真分析了ATRU的变压器在不同频率下的等效参数、输出电压、损耗等工作特性,接着分析了ATRU的输入电流谐波、输出电压与电源频率的关系,实验验证了仿真结果。该论文的研究成果为使用于变频电源的ATRU的设计提供了技术条件。

  • 标签: 变频电源 自耦变压整流 等效参数 工作特性
  • 简介:本文介绍了不同类型的通信网络拓扑以及这些网络以邻接矩阵和特征值形式的表示法。一种自组织特性图神经网络用来描述不同类型的通信网络拓扑特征,并给出了模拟结果。

  • 标签: 通信网络拓扑 邻接矩阵 自组织特性图神经网络
  • 简介:基于Lee-Low-Pines(LLP)的幺正变换,本文采用Pekar变分法得到的基态能量和波函数及其在电场的二维量子点中强耦合极化子的第一激发态,从而构建一个双极化子的量子比特。数值结果表明时间的振荡周期T0对量子比特的减小两电子概率密度随电场强度和介质的介电常数比η;在量子比特的两电子的概率密度q呈现周期性的振荡随时间t;出现的电子在量子点中心的概率较大,而出现了由量子点中心要小得多。

  • 标签: 强耦合极化子 电场强度 量子点 量子特性 二维 电子概率密度
  • 简介:提出了一种基于感知数据特性分析的电磁环境复杂度评估方法。引入可量化电磁环境宏观统计规律和微观变化特征的功率谱密度标准差、功率谱密度偏度、功率谱密度相对变化率等评估因子,旨在全面评价电磁环境交叉重叠、瞬息万变动态性引起的复杂程度变化,并基于此对电磁环境进行精确的"客观"评估。最后,利用感知数据对该方法的实用性进行了验证,结果表明该方法可有效评估电磁环境复杂度。

  • 标签: 电磁环境 标准差 偏度 变化率 复杂度
  • 简介:首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

  • 标签: Ni(W)Si 热稳定性 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 卢瑟福背散射
  • 简介:本文研究了过压抑制电路的原理与特性,分析比对了几种过压抑制电路的工作特性。研究了HXD_2电力机车辅助变流系统的工作特性,利用Crowbar功率模块的技术特点实现在斩波系统中的过压抑制。本文重点描述了HXD_2机车Crowbar电路的电气结构、工作原理及设计准则,研制了样机并进行了分析试验。研究表明,过压抑制模块保护响应快,阀值设定可靠合理,对保护辅助供电系统过压有很好的作用。

  • 标签: 电力机车 CROWBAR 辅助供电系统
  • 简介:摘要本文以高中生物学教材中适合培养学生思维特性的实际教学内容为例,从学生思维流畅性的培养、学生思维变通性以及独特性的层面进行探究和讨论,最后提出了在高中生物学教学过程中对于学生思维特性培养的有效性策略。

  • 标签: 高中生物学教学 思维特性 教学策略
  • 简介:日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装,是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

  • 标签: 功率MOSFET 高功率密度 SC-70封装 特性 移动设备 消费电子
  • 简介:快速发展的NB-IoT作为物联网的重要技术之一,已经进入了商用的飞速发展时期。而基于NB-IoT的终端一致性测试是NB-IoT重点关注的测试内容。本文主要介绍了NB-IoT终端一致性测试中连接管理特性和相应的TTCN-3代码设计。

  • 标签: NB-IoT 终端一致性测试 RRC TTCN-3
  • 简介:文中针对当前通过在A1GaN层进行F-离子注入这种实现EAlGaN/GaN增强型HEMT器件的重要方法,建立其数值模型。对该方法F-起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释,对该方法的实现过程中的关键F-离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析,得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。

  • 标签: F-注入 增强型HEMT 数值模拟
  • 简介:La1.4Sr(1.6-x)CaxMn2O7(x=0,0.2,0.4,0.8,1.0,1.4,1.6)系列的多晶样品是使用固相反应的方法得到的,它是一种具有两层钙钛矿结构的锰氧化物,通过XRD分析,当0≤x≤0.8时,样品架构是Sr3Ti2O7四方型,空间群是I4/mmm,成为两层钙钛矿的架构;当1.0≤x≤1.6时,样品架构是ABO3正交型,空间群是Pbnm,成为立方架构CaO与ABO3型钙钛矿架构混合物。

  • 标签: 固相反应法 双层钙钛矿锰氧化物 磁结构 磁特性
  • 简介:摘要:本次设计一种110kV及以上SF6断路器特性速度测试专用工具,包括固定组件,包括底板、设置于所述底板顶部的安装盒,以及设置于所述安装盒顶部和底部的紧固件;以及,防滑组件,包括设置于所述安装盒一侧的缠绕件、设置于所述底板两侧的触发件,以及设置于所述触发件内部的调节件。本设计通过固定组件和防滑组件的设置使得本装置能够牢固地将速度传感器固定在断路器的分合闸传动杆上,避免在使用过程中发生移动。

  • 标签: 110kV SF6断路器 测试工具