简介：
简介：由使用0.15mGaAspHEMT(pseudomorphic高度电子活动性晶体管)技术，毫米波浪力量放大器微波的一个图案整体的集成电路(MMIC)是presented.With电路结构上的小心的优化，这个二阶段的电源放大器从33GHz与1dB的变化完成15.5dB的模仿的获得到超过在浸透的30dBm的模仿的产量电源能与最大的电源从3WDC供应被拉的37GHz.A26%.Rigorous的增加的效率(PAE)电磁的s
35岁：王志东能否再续网络神话
Design of 35 GHz 1 Watt GaAs pHEMT Power Amplifier MMIC
三星耗资35亿美元在美建300mm闪存晶片厂
