简介：测量了C60单晶（111）解理面法向发射的角分辨光电子谱。利用同步辐射光源研究了对应于分子轨道HOMO及HOMO－1的能带的色散关系。实验观察到HOMO和HOMO－1能带在Г－L方向存在明显的色散，最大色散分别为0.27eV和0.42eV色散曲线与理论电子结构基本符合。

简介：本文介绍了BSRF4W1B束线及XAFS实验站八五改造工程的目标，主要工作，及改进后该实验系统达到的各项主要技术指标及运行状态。

简介：在C60单晶（111）解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源，在低温下（约150K）测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰，这些子峰的最大色散超过0.5eV，并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合，只是子带间隔差异较大。

简介：在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜．得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形，费米面附近的电子态密度随温度显著变化．甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰．

简介：本文采用XAFS、XRD、DTA三种方法研究化学还原法制备的NiB超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及结构与催化性能的关系。XRD和XAFS结果表明，NiB超细非晶态合金的退火晶化过程分两步进行，在325℃的退火温度下，NiB超细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni和NiB亚稳物相；在380℃或更高的退火温度下，绝大部分Ni3B进一步晶化分解生成金属Ni物相，其产物中Ni的局域环境结构与金属Ni箔的基本一致。我们发现纳米晶Ni比超细Ni-B非晶态合金或晶态金属Ni粉末有更好的苯加氢催化活性。

简介：本文通过对三聚氰胺(C3N6H6)的室温高压原位同步辐射能量散射x-ray衍射实验（EDXRD），在14．7GPa压力范围内，观察到常压下为单斜晶系的三聚氰胺经历了两次压致结构相变。在1．3GPa下，三聚氰胺分子晶体从单斜相转变为三斜相；在8．2GPa又转变为正交相。

简介：根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

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简介：Themicroscopiceffectivechargesinmirrornuclei51Mnand51Feareinvestigatedwiththeparticle-vibrationcouplingmodelbasedontheself-consistentSkyrme-Hartree-Fockandcontinuumrandom-phase-approximationapproaches.Theisovectorpartsarepredictedtobearound0.15,andtheprotoneffectivechargesarearound1.25e,whichislessthantheempiricalvalueofeeffp=1.5e.Themicroscopiceffectivechargesinneutronrich51Mnareabout10%lessthanitsprotonrichmirror.TheseeffectivechargesarecombinedwiththeshellmodeltocalculatethereducedelectricquadrupoletransitionprobabilityB(E2)valuesin51Mnand51Fe.ItturnsoutthatthemicroscopiceffectivechargeshavewellreproducedtheB(E2)valuesanditsratiointheterminatingstates.

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简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：ThisworkinvestigatedC2F6/O2/ArplasmachemistryanditseffectontheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kdielectricsin60MHz/2MHzdual-frequencycapacitivelycoupleddischarge.FortheC2F6/Arplasma,theincreaseinthelow-frequency(LF)powerledtoanincreasedionimpact,promptingthedissociationofC2F6withhigherreactionenergy.Asaresult,fluorocarbonradicalswithahighF/Cratiodecreased.Theincreaseinthedischargepressureledtoadecreaseintheelectrontemperature,resultinginthedecreaseofC2F6dissociation.FortheC2F6/O2/Arplasma,theincreaseintheLFpowerpromptedthereactionbetweenO2andC2F6,resultingintheeliminationofCF3andCF2radicals,andtheproductionofanF-richplasmaenvironment.TheF-richplasmaimprovedtheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kfilms,leadingtoahighetchingrateandasmoothetchedsurface.