简介：三不同Ti-Si氧化物structuares，硅石支持了titania，硅石涂的titania和亲密地混合的silica-titania，包含10%-40%SiO2，被nanocrystalline(nc)的微观结构参数的sol-gelprocess.The变化在二进制氧化物的三kirds成为TiO2锐钛矿包括在里面飞机间距d，电池常数(a0，C0)，房间体积V，房间轴比c0/a0和水晶谷物缩放，被高决定传播电子显微镜学(HRTEM)和X光检查衍射(XRD)比较地调查。微观结构参数与增加SiO2内容显著地变化，这被发现，annealingtemperature.Different组织了Ti-Si二进制氧化物导致微观结构参数的不同变化趋势。二进制氧化物包含越多SiO2，ncTiO2锐钛矿的缺点越格子出现；Si阳离子的散开或移植能是在微观结构的变化的一个重要有影响的因素。在三种二进制氧化物的ncTiO2的谷物尺寸不仅取决于SiO2内容和退火的温度而且在ncTiO2-anatase.Both谷物尺寸和nc的阶段转变的格子microstrainand失真的度上，TiO2锐钛矿是有效地与增加SiO2内容禁止了。

简介：用SOL-Gel法制备了纳米级的CuO-SnO_2气敏粉体;运用DSC-TG、XRD、TEM、比表面积、EDS等分析手段对不同热处理温度和不同配比浓度的粉体进行了表征,为制作高性能的气敏元件建立基础。

简介：

简介：这是首款具备Wi—Fi功能的WindowsMobile手机，与普通手机相比．它可以使你更快地收发邮件及浏览网页。

简介：Al2O3/Al的三个系列把陶器的矩阵composites，命名矿泉，SPV和HP压成薄片，被不同方法制作。矿泉和SPV经由屏幕在空或真空中打印和随后的热处理用Al2O3片和艾尔泥浆被准备。HP样品被热压成为艾尔陪衬和Al2O3片的分层的栈。SEM和XRD被使用分析微观结构和夹层水晶阶段。弯曲力量，破裂坚韧和三个方法做的样品的破裂工作被测量并且比较。结果证明composites比Al2O3片有好一些的坚韧和更高的破裂工作。在三个方法做的样品之中，热压做的样品有最佳机械性能。排水量负担曲线和骨折机制被分析。

简介：利用自组装法在空气水界面制备了SiO2薄膜粒子，将所制薄膜粒子先后用AgNO3溶液与Na2S2O3溶液浸泡，并充分曝光，形成了一种形状如“西瓜”的SiO2-Ag纳米复合颗粒。采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、紫外可见吸收光谱（UV-Vis）对其结构进行了表征和分析，并初步探讨了其结构的形成机理。结果表明，纳米Ag“瓜子”均匀地分散于SiO2“瓜瓤”颗粒中，形成的复合颗粒呈球形，粒径均匀。

简介：将纳米氧化锆（ZrO2）粒子添加到聚偏氟乙烯（PVDF）膜铸液中,通过相转化法制备了一系列不同ZrO2含量的ZrO2/PVDF杂化膜。通过SEM、EDX、XRD等技术对杂化膜结构进行表征,发现ZrO2粒子填充到聚合物网络结构中,使膜孔径变小,并且降低了膜的结晶度。膜超滤实验表明,随着ZrO2含量的增加,膜纯水通量先增加后减小;膜对牛血清蛋白（BSA）的截留率逐渐增加,而通量衰减有所降低,说明ZrO2的加入能够有效提高膜对BSA的抗污染性能。

简介：采用化学沉淀法制备纳米TiO2-xNx粉体，使粉体的禁带宽度变窄，在可见光下表现出较高的抗菌率（32％）。再采用浸渍法制备掺Fe的TiO2--xNx粉体，实现TiO2粉体的金属-非金属双掺杂。Fe-TiO2--xNx粉体在可见光下的抗菌率随着掺Fe量的增加呈先增加后减小的趋势，当掺杂量为0．5％（原子分数）时抗菌活性最高，达71％。

简介：用溶胶凝胶法制备了ZnO—SnO2交替薄膜，具有工艺设备简单、后处理温度低、对衬底要求比较宽、易于定量掺杂等特点，通过X光电子能谱、紫外-可见吸收光谱和扫描电子显微镜对样品的组成及形貌等进行了分析与表征，测量发现，随着温度的升高薄膜的电阻变小，导电性变好？

简介：弧与cored电线喷洒被使用在低碳钢底层上扔FeMnCr/Cr3C2涂层，也就是FM1，FM2和FM3。涂层的热吃惊电阻被调查在热吃惊抵抗上估计Cr3C2内容的影响。在热骑车测试下面的涂层的特征被光显微镜学，地排放扫描电子显微镜(FE-SEM)和精力分散光谱(版本)学习，X光检查衍射(XRD)。试验性的结果证明涂层的坚硬增加，结合力量随涂层的Cr3C2内容的增加稍微减少。作为结果，FM2涂层拥有最好的热吃惊抵抗，归因于它比那些的更好热的扩大火柴和FM3涂层的wettability，更少的氧化物率比FM1涂层在涂层从裂缝形成和繁殖制止的。

简介：用固相烧结法合成了管状Sb2Se3相变材料，并通过扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、透射电镜（TEM）、拉曼光谱仪（Raman）、热重分析（DSC）进行表征测试，结果表明成功制备出了正交晶系的Sb2Se3，计算所得晶格常数为a：11．6445A，b=11．792A，c=3．981A,；透射电镜结果说明Sb2Se3微米管晶体结构沿[001]方向择优生长；DSC测试Sb2Se3的熔点为624．5℃。同时本试验用固相烧结法制备了不同配比的Sb—Se材料，并用XRD和Raman表征测试了晶体结构.

简介：ThemechanismoftheinterfacialreactionofAl2O3/mediumMnsteelcontainingNbwasstudiedbymeansoftheobservationontheinterfacialreactionphenomenonofAl2O3/mediumMnsteel,andtheanalysesontheinterracialphases.TheresultsshowthatwhenT≥1550℃,theinterfacialreac-tionofAl2O3/mediumMnsteelcontainingNbhappened.InthemediumMnsteelmatrix,NbexistsintheformofNbC.NbCarethenucleatingbaseofCOgasbubbles.

简介：LiMn2O4wassynthesizedrapidlybymicrowaeheating.Theproductphasesofthemicrowavesynthesisandconventionalsolid-statesynthesiswerecomparativelyinvesitigated.Thecapacityofmicrowavesynthesisproductdecreasesrelativelyslow.Thelithiumioncanbeinsertedintoandextractedfromthespinelframeworkstructurefluentlyaftercycling.Butthecapacityoftheconventionalsolid-statesynthesisproductismoreremarkablylowered.Thespinelframeworkstructurewasdestroyedwhichhinderedthelithiumionfrominsertingandextracting.Theinfluentialfactorsoftheprocessparametersarediscussedsuchasheatpreservationtime,pre-heatingat400℃for24handcoupledagent.

简介：

简介：采用水热法,结合真空冷冻干燥技术并在一定的焙烧温度条件下,成功地制得了单分散类球形CeO_2纳米粒子。用SEM、TEM及ICP等分析手段对样品进行了表征,研究了水热和焙烧温度对产物粒径、形貌的影响。结果表明:反应温度为200℃、焙烧温度为700℃下制备的纳米CeO_2粉末颗粒的粒径为55～65nm,分散性好,粒径分布均匀且呈类球形,纯度达到99.9%。

简介：一篇小说荧光灯为H2PO4-基于碳dots/Fe3+被设计并且制作合成。碳点被一个确定的一个壶综合热水的方法并且由传播电子显微镜，X光检查衍射计，紫外力的吸收分光计和荧光分光光度计描绘了。碳dots/Fe3+合成被碳点和FeCl3,的水的混合获得，它的荧光性质被荧光分光光度计描绘。碳点的荧光被水的Fe3+阳离子熄灭，导致碳dots/Fe3+的低荧光紧张合成。在另一方面，H2PO4-由化学反应减少了Fe3+的集中并且提高了碳dots/Fe3+的荧光合成。Stern-Volmer方程被介绍描述在合成的碳dots/Fe3+和H2PO4-,和好线性(R2=0.997)在H20.4-12公里的PO4-集中。

简介：采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2（SnO2：Sb）薄膜。研究了膜厚对SnO2：Sb薄膜红外光学性能的影响，利用X射线衍射仪、分光光度计、霍尔效应测试系统对薄膜样品进行表征和测试。结果表明：SnO2：Sb薄膜为四方金红石型结构；当膜厚为1220nm时，薄层电阻最小，为157Ω／□；在红外波段，透射率随膜厚的增加显著下降，当膜厚为890nm时，在波长2000nm处，透射率接近于0，膜厚为1220nm时，在波长1750nm处，透射率为0。

简介：

简介：Frequency-doubledantireflectioncoatingssimultaneouslyeffectiveat1064nmand532nmweredepositedonthelithiumtriborate(LiB3O5orLBO)crystalsusingtheelectronbeamevaporationmethod.Comparingwiththesamplewithoutbufferlayer,itisfoundthattheadhesionofthesamplewithbufferlayerofSiO2betweencoatingandLBOsubstrateisimprovedsignificantlyfrom137.4mNtogreaterthan200mN.Andthelaser-induceddamagethresholdisincreasedby20%from15.1J/cm2to18.6J/cm2.ThestrengtheningmechanismofadhesionofthebufferlayerofSiO2isdiscussedbyconsideringfullplasticindentationandsheartheory.

简介：ZnMn2为抵抗随机存取存储器(RRAM)的O4电影被磁控管劈啪作响与不同设备结构制作。I-V特征，抵抗切换行为，耐力和ZnMn2O4电影被调查。ZnMn2象底部电极的O4电影，使用的希腊语的第二十三个字母和磅，展出双极的抵抗切换(BRS)行为处于低抵抗状态(LRS)处于高抵抗状态(HRS)和细丝传导机制由space-charge-limited传导(SCLC)统治了机制，但是ZnMn2用底部电极展出双极、单极的抵抗切换行为的n-Si的O4电影在幼虫由Poole-Frenkel(P-F)传导机制控制了Ag/ZnMn2O4/p-Si设备拥有最好的耐力和保留特征，交换周期的稳定的重复的数字在是超过1000，保留时间比106秒长。然而，最高的RHRS/R104的LRS比率和最低V在和V离开3.0的，V在Ag/ZnMn2O4/Pt设备。不过Ag/ZnMn2O4/n-Si设备也拥有最高的RHRS/R104,的LRS比率但是V在,V离开,RHRS和R象差的耐力一样的LRS,并且保留特征。