简介:简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。
简介:e络盟(前身为派睿电子)母公司element14公司宣布,随着Microchip(美国微芯科技公司)最新低成本、多功能开发工具包的加入,element14的产品目录进一步增加,库存已经超过12万多种。
简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。
简介:仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比,这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。
简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。
超结MOSFET的最新发展动向
e络盟开始供应Microchip最先进的开发工具包
基于SiGe异质结的双极型晶体管设计
最新超结功率HOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能
在500V电压等级的AC/DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争
一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件