简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：位于美国新墨西哥州阿尔伯克基的Optomec公司宣布该公司获NASASBIR合同，进一步发展自适应激光烧结系统（ALSS）在电子产品中的应用。这一尝试的成功将实现在更多种类的温度敏感基板上打印电子电路，扩大3D打印电子元件的生产应用。

简介：德国杜塞尔多夫，2007年12月7日--罗地亚聚酰胺在2007年K展的演讲中介绍其TECHNYL阻燃聚酰胺树脂创新系列不含卤素和红磷成分的新增品种。这些新产品为电子电气用途提供了环保改进型解决方案，这些新方案均满足欧盟的＂废电子电气产品指令》（WEEE）和＂电子电气产品中有害物质禁限用指令》（RoHS）的限制要求。