简介：采用同步辐射能散X射线衍射技术和金刚石地顶砧高压装置，对硅化铁纳米微粉进行了原位高压X光衍射实验。在27．1－29．5GPa的压力范围内出现了两条的衍射峰，对该实验现象进行了讨论。

简介：用小角X射线散射（SAXS），Raman谱，红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法（HWCVD）制备氢化微晶硅膜微结构，结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主，在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

简介：

简介：采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构，其结果表明，二氧化钛与二氧化硅复合后，钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位，不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同，说明经过复合后二氧化钛结构发生改变，并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

简介：SAXS被用于研究聚合氯化铝硅（PASC）絮凝剂的形态，0．1MPASC絮凝剂的分形数随絮凝剂中硅铝比的增加而增大，当硅铝比由0．025增加到0．075时，分形数由1．29增大到1．41。

简介：采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。

简介：高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。

简介：

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简介：在同步辐射软X光能区（50－2000eV)进行了硅光电二极管的自标定实验，因为消除了二极管的“死区”并采用很薄层的SiO2作窗，使得可以用简单的模型来分析实验结果，由实验测得的光电流，计算出硅光电二极管的量子效率，并求得入射同步辐射的光通量。

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。