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  • 简介:经常有人将磁阻RAM(MRAM,MagnetoresistiveRandomAccessMemory)称作是非易失性存储器(NVRAM,Non—VolatileRAM)未来的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,它的寿命几乎是没有限制的。

  • 标签: 非易失性存储器 MRAM 品系 卡尔 RANDOM Access