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全新深亚微米X射线T型栅工艺

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摘要 GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

DOI pj0z96ny4y/2051951

作者张菊芳;韩勇;彭良强;谢常青;陈大鹏;孙加兴;李兵;叶甜春;伊福庭

机构地区不详

出处《北京同步辐射装置年报》 2001年1期

关键词 GAAS 半导体材料亚微米X射线T型栅工艺制造半导体器件 X射线光刻

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2001年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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