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新型1200V SPT＋芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合

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摘要在具有重要意义的1200V电压等级的市场上，SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通（SPT）IGBT，即SKT^＋，作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比，SPT^＋模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SKT^＋的电气性能测试结果，并和以前的SPT芯片进行了比较。

DOI rdx9wrpkdl/425373

作者 C. Daucher;D. Seng;A. Wahi

机构地区不详

出处《电源世界》 2006年4期

关键词 IGBT功率模块芯片技术产品平台逆变器设计理想

分类 [电气工程][电力电子与电力传动]

出版日期 2006年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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电源世界

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