新型1200V SPT+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合

(整期优先)网络出版时间:2006-04-14
/ 1
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SPT)IGBT,即SKT^+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT^+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片的自锁模式及极富创新的SEMIX封装使得客户可以容易地设计出成本低、结构紧凑的逆变器。本文介绍了SKT^+的电气性能测试结果,并和以前的SPT芯片进行了比较。