首页
期刊导航
期刊检索
论文检索
新闻中心
期刊
期刊
论文
首页
>
《电子与封装》
>
2006年11期
>
功率MOSFET无铅化封装中铝线引脚跟断裂研究
功率MOSFET无铅化封装中铝线引脚跟断裂研究
打印
分享
在线阅读
下载PDF
导出详情
摘要
用实验和有限元的分析方法研究0.05mm~0.125mm铝线的引脚跟断裂问题,结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素。模拟不同的回流焊温度曲线(220℃、240℃、260℃)对铝线的影响,发现在铝线引脚跟处应力和应变最大,而且随着温度的上升,铝线引脚跟处的塑性变形会提高20%,这对铝线的疲劳损伤是很严重的。
DOI
7dm6relljn/478230
作者
何伦文;潘少辉;汪礼康;张卫
机构地区
不详
出处
《电子与封装》
2006年11期
关键词
功率电子
铝线
无铅化
回流焊
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2006年11月21日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
相关文献
1
龙乐.
汽车用功率MOSFET及其封装
.物理电子学,2006-02.
2
田民波;马鹏飞;张成.
电子封装无铅化现状
.微电子学与固体电子学,2004-02.
3
田民波;马鹏飞;张成.
电子封装无铅化现状
.微电子学与固体电子学,2004-03.
4
羽冬.
新型引脚框封装
.物理电子学,2003-03.
5
宋何良 ,王龙.
CCGA 封装器件引脚校正技巧
.,2023-04.
6
刘鹿生.
封装特性影响MOSFET损耗
.电路与系统,2003-02.
7
江兴.
Vishay推出采用3.3×3.3mm Power PAK封装的功率MOSFET
.物理电子学,2004-05.
8
谢裕达.
绿色封装无铅环保军全球市场利器
.物理电子学,2003-01.
9
潘宏明;杨道国;冷雪松;寿国土.
倒装焊封装中无铅焊点在封装工艺中的热机械力学分析
.物理电子学,2005-02.
10
.
ST推出5×6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管
.物理电子学,2017-03.
来源期刊
电子与封装
2006年11期
相关推荐
高压电容引脚断裂失效分析
线性功率MOSFET分析及应用
可将封装成本锐减25%的无铅射频塑料晶体管
芯片级CSP,FC锡铅/无铅封装测试工艺对照
功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET
同分类资源
更多
[物理电子学]
HSDPA技术研究
[物理电子学]
计算机网络安全问题的分析与探讨彭睿一
[物理电子学]
移动生活的24个彩信灵感时刻
[物理电子学]
IT业“钱眼”上的行业判断:60亿,中国信息产业遭遇“知识壁垒”——中国DVD出口专利纠纷启示录
[物理电子学]
浅谈水生态文明建设中市场机制的作用
相关关键词
功率电子
铝线
无铅化
回流焊
返回顶部