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浅析第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展
浅析第三代半导体材料SiC晶体生长设备技术及进展
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摘要
摘要:第三代半导体设备技术,是半导体发展历程中的重要技术,也是当前技术发展的支撑。本文通过浅析第三代半导体材料,对其晶体生长方式进行分析,探究SiC晶体设备构成。结合国内外进展情况,为国内SiC晶体设备技术发展提供更科学的技术,意在国内也能研制出更加成熟的生长设备。保证第三代半导体在更多领域得到科学应用,提升半导体材料的商业价值。
DOI
5jog2213dv/5654736
作者
郑建生
机构地区
露笑新能源技术有限公司 311800
出处
《科学与技术》
2021年24期
关键词
第三代半导体材料
SiC晶
生长设备技术
分类
[建筑科学][建筑技术科学]
出版日期
2021年11月19日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
科学与技术
2021年24期
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