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第三代半导体SiC材料的简介与应用

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摘要【摘要】随着科学技术的不断发展，人类对半导体材料的认识不断深入，与传统的Si、Ge和GaAs材料对比，以SiC、GaN为代表的第三代宽禁带材料具有禁带宽度大，热导率大和抗辐射能力强等性能优势，近年来，其在高温、高压、高频率和高功率器件等领域得到了更加广泛和深入的研究。

DOI 6jro0eewj5/6934239

作者郭盟郭逸豪张骏言王思程付贺刘世琦赵浚淇

机构地区吉林建筑大学长春市 130000

出处《中国科技信息》 2023年4期

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出版日期 2023年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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