SiC材料点缺陷研究进展-中国期刊网

摘要摘要：碳化硅（SiC）作为一种重要的半导体材料，具有优异的物理性能和热稳定性，因此在功率电子器件、光电器件等领域具有广泛的应用。然而，SiC晶体中存在多种类型的点缺陷，如杂质原子、空位、晶格位错等，这些点缺陷对SiC材料的电学和光学性能产生重要影响。本论文主要综述了近年来SiC点缺陷研究的进展，包括点缺陷的形成机制、电学性质、光学性质以及对器件性能的影响等方面，旨在为SiC材料研究和应用提供参考。

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