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  • 简介:氧化锌是一种性能良好的半导体材料,可以用作薄膜场发射阴极中的电子传输层材料.主要研究了用磁控溅射方法在不同衬底温度下生长ZnO薄膜的电学特性,分析了ZnO薄膜的电阻率和击穿场强随温度的变化关系.

  • 标签: 氧化锌薄膜 电阻率 击穿场强
  • 简介:使用分子束外延(MBE)技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAsSchottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术(ALD)插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.

  • 标签: Be掺杂GaAs GaAsMIS结构 I-V 肖特基势垒高度 理想因子
  • 简介:电学是中学物理的重要组成部分,在中考中有近35%~45%的内容都来自电学知识。复习好这部分知识,是取胜中考的关键,这部分的知识点可总结为:“一、二、三、四、五、六”。

  • 标签: 电学 知识点 组成部分 中学物理 中考
  • 简介:电学是初中物理的重要知识点.也是中考物理最主要的考查内容之一。考查内容主要集中在简单电路的认识与作图,电流、电压、电阻的关系.欧姆定律.电功与电功率,安全用电.磁场及磁感线,地磁场,电磁铁,磁场对电流的作用(直流电动机),电磁感应.电磁现象中的能量转化,

  • 标签: 电学 考查内容 初中物理 直流电动机 地磁场 简单电路
  • 简介:电学的有关知识是物理学的基础,中考试题中年年考查,2010年中考这一部分内容也不会减少,题型仍为填空、选择、作图(画电路图、连接电路、电路故障判断、设计电路)计算等。估计2010年中考重点是联系生活实际问题,串、并联电路、欧姆定律的知识会与电功、电功率的知识综合在一起考查,但会降低对复杂电路及电路图的要求。家庭电路部分主要考查家庭电路的组成、连接方式及电能表和测电笔的使用,重点应该是安全用电的一些基本常识,

  • 标签: 电学 电路图 连接电路 故障判断 设计电路 生活实际
  • 简介:新考纲要求“培养学生的创新精神和实践能力”。新课程强调从生活走向物理,从物理走向社会,关注科学、技术与社会之间的联系。从近年来各地中考试题来看,创新性试题所占比重逐年增大,已成为各地中考考查的热点内容。下面以2009年各地部分中考题为例进行解析。

  • 标签: 电学 创新精神 实践能力 中考 物理 社会
  • 简介:二、重点知识补查1.知识掌握上的“漏与缺”(1)不知道并联电路中干路上的开关也能同时控制整个电路。查漏补缺串联电路中.电流无分支.只有一条通路.无论开关在什么位置.都能控制整个电路的通断.但是各个用电器不能单独开关;而并联电路中.电流有分支.有两条或两条以上的通路.用电器既能单独控制。又能同时控制。干路上的开关控制整个电路的通断.各支路上的开关分别控制本支路上用电器.且各支路上的用电器不互相影响。

  • 标签: 电学实验 开关控制 并联电路 串联电路 电器 支路
  • 简介:电学实验是每年各地中考必考内容.考查形式和内容比较统一.但从多年阅卷情况看.学生得分并不理想.下面针对2010年各地中考实验题进行归纳分析.为下一轮中考提供参考。

  • 标签: 电学实验 归纳分析 中考 实验题 理想
  • 简介:摘要电学是高中物理教学中很重要的一部分。“电”这个概念就是一个比较抽象的概念,它既看不到又摸不着,通过物理实验可以帮助学生理解一些抽象的知识,利用电学演示实验来引入新课可以让学生对相关的知识产生浓厚的兴趣。这样不仅使教师教起来比较容易,而且学生学起来也不会那么辛苦。

  • 标签: 高中物理电学实验策略
  • 简介:【 摘 要 】 如今对于半导体材料硅的研究已经日渐成熟,硅已经是最广泛应用的一类半导体,在微电子和集成电路行业中硅占据着主导地位,通常通过掺杂杂质来改变硅的导电性 能,硅的掺杂技术已经被普遍应用并且越来越成熟,并制成各种器件。然而在应力和本征缺陷对硅的电学性质的作用却很少提及。在对半导体材料的研究和学习中可知,缺陷的电学特性对半导体也有着一定的影响,参杂原子可以提供载流子提高其导电特性,而空位等缺陷在禁带中产生深能级,因此缺陷影响着半导体的禁带宽度和载流子数目。因此缺陷对硅的导电特性起着至关重要的作用。当对硅晶体某一晶向上施加一个拉伸或压缩的应力时会对硅结构造成一定的影响,导致禁带宽度会发生变化,使其导电性能也发生变化。本文所进行的工作就是研究应力和本征缺陷双重因素作用下影响硅电学性质机理 的第一性原理的研究。利用 Materials Studio 6.0 软件来计算分别对硅的 和 晶向施加拉伸和压缩的应力其电学性质变化并绘制应力随应变曲线,并且绘制出能带图、态密度图、分波态密度图,进一步解释其应力和本征缺陷对硅导电性质机理的影响。从而寻找不依赖掺杂而只利用本征缺陷和应力来调控硅的电学性质的方法。利用应力和 本征缺陷调节硅的禁带宽度改变半导体的性能并通过能带图、分波态密度图、态密度图进行理论分析其机理。 并解释应力和本征缺陷作用下硅晶体宏观现象的微观本原,并为硅工业发展提供理论支持。

  • 标签: 应变硅技术 禁带宽度 第一性原理
  • 简介:开栏小语:在新的初三开始之际,“难点透析”栏目也与新一批的初三考生见面了。考生在复习中会发现,很多问题在中考中所占分值很多,又不好掌握,是备考中的难点。“难点透析”栏目将在未来的一年中陪伴着考生,为考生深入透彻地讲解各个学科中的复习难点,从而帮助考生迎战中考排除障碍。

  • 标签: 物理电学 复习难点 考生 初三 栏目 透析
  • 简介:电学中常考的重点实验有:伏安法测电阻、测小灯泡的功率、电阻大小和影响因素、探究电流与电压、电阻的关系、探究串、并联电路的电流或电压的规律、探究影响电流热效应的因素。

  • 标签: 探究实验 电学 电流热效应 影响因素 并联电路 电阻
  • 简介:纵观近几年全国中考试卷,物理创新题型的命题设计不断地呈现出新特点,而电学探究类创新型试题在中考试卷中更是独树一帜,由于其知识的基础性、综合性强,以及在生活中有着广泛应用,所以近几年的中考电学探究性创新试题步出,

  • 标签: 电学实验 创新型 中考 探究性 试卷 试题
  • 简介:高中物理电磁学部分是仅次于力学部分的第二大板块,其主要内容分布在"电场、恒定电流、磁场、电磁感应、交变电流"等五章,2009年高考大纲中有18个Ⅱ级要求知识点和17个Ⅰ级要求知识点(不包括实验部分)。核心考点有:库仑定律的应用;电场力做功与电势能变化的关系;电场强度、电势、电容;闭合电路的欧姆定律;带电粒子在匀强电场或匀强磁场中的运动;法拉第电磁感应定律、楞次定律。高考试题中,本板块有2至3个选择题,1个电学实验题(实验部分),1至2个计算题,其中1个力、电综合计算题,总分值超过40分。

  • 标签: 高考试题 法拉第电磁感应定律 电学试题 电学实验题 综合计算题 匀强磁场
  • 简介:

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  • 简介:一、温度对电阻的影响实验按照图1所示,把两节干电池、一个手电筒专用的2.5V小电珠和一段螺旋线管(可用较细的铁丝或铜丝在铅笔杆上密绕10圈左右,并脱胎而成),用导线串连起来。接通电源,小电珠就会通电正常发光。

  • 标签: 小实验 电学 趣味 小电珠 干电池 手电筒
  • 简介:在现代科学技术高度发展的今天,电在工业、农业、医疗及人们日常生活中,显得特别重要,简直到了离不开它的地步。“水能载舟,亦能覆舟”,电既存在有利于人的一面,亦存在有害于人的一面。关键所在,要看能否充分认识和掌握它的规律。“电老虎”一旦被人们所驯服,它定会乖乖地为人类服务,否则,将有遭受触电和火灾的危险,给人的生命和国家财产造成重大损失。

  • 标签: 触电事故 生理电学知识 科学课 初中 备课参考
  • 简介:摘要:在高中阶段学生的物理实验探究主要分为对学生实验能力以及科学探究两方面的考核,它不仅仅是组成高中生物理核心素养极为重要的一部分,同时还是物理学界中最基础的研究方法。伴随着新高考的落实,对于高中生自身实验探究水平的考核也自然提上了日程。为此本篇文章以高三人教版物理教材中的几道经典电学实验题为例进行详细的说明,并以此发掘出新高考模式下高三学生物理实验复习的新路径。

  • 标签: 高中生 新高考 物理实验复习 实验能力
  • 简介:电学实验一直是高中物理教学中的一个重难点,而其中的系统误差分析又是学生学习中的难中之难。通过对近几年的高考实验试题的研究,研究高考电学实验试题中的两个显著特点,由浅入深,从电流表、电压表的改装,伏安法测电阻电流表内接法和外接法的实验误差分析切入,通过等效类比法分析测电源的电动势和内阻的实验误差。让学生掌握其相似之处,举一反三,同时在分析误差的过程中养成严密的科学思维,从而提高应对全国高考的能力。

  • 标签: 电学实验 等效类比 内外接 误差分析 突破难点