Si代P点缺陷对KDP晶体光学质量的影响

(整期优先)网络出版时间:2012-02-12
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通过基于第一性原理的CASTEP计算发现,KDP晶体中Si代P点缺陷的形成能约是12.18eV,比较难在晶体中形成。模拟了此种点缺陷形成前后晶体的电子结构和能态密度,发现Si替代P后,晶体带隙宽度几乎没有变化,说明这种点缺陷不会引起晶体对光的额外吸收。Si替代P点缺陷仅使其周围的晶格及电子结构发生轻微畸变,对晶体整体结构影响不大。