在0．18υm高压产品工艺生产过程中，作者发现晶片在钨化学机械研磨制程后会有很严重的鸽剥落缺陷，此种缺陷成行排列，有一定规律，与光罩的曝光间膈距离相匹配，该缺陷会导致产品良率有非常明显的下降。同时在生产过程中也发现在MIM上极板蚀刻后，有些聚合物难以去除，此种残留物也来自曝光的固定位置。因此解决这类与光罩相关的缺陷和残留物显得尤为重要。作者经过深入的研究分析以及实验验证，通过对切割道上的光罩对准标记进行优化，彻底解决了这两种缺陷问题，使得产品的良率得以提升。
电子与封装
2013年6期
