为某人制作了非制冷探测器。探测器是基于as0.05sb0.95和as0.09sb0.91厚外延层生长在衬底上通过熔体外延（我）。GE浸没透镜在光导体。截止波长在as0.09sb0.91探测器明显延长至11.5μm，而且在as0.05sb0.95探测器是8.3μ室温，在6.8米和1μ200Hz调制频率波长DλP＊峰值探测率为1.08×109厘米·典型/2·W-1为as0.09sb0.91光导型探测器，探测率D＊在9μm波长为7.56×108厘米·典型/2·W-1，和11μm是3.92×108厘米·典型/2·W-1。在as0.09sb0.91探测器的探测率在波长长于9μM是一个数量比在as0.05sb0.95探测器高幅度的上升，砷（As）成分增加在as0.09sb0.91材料。
