Analysis of Effect of Zn(O,S) Buffer Layer Properties on CZTS Solar Cell Performance Using AMPS

(整期优先)网络出版时间:2016-10-20
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Cu2ZnSnS4(CZTS)基于太阳能电池被microelectronic和photonic结构(AMPS-1D)的一个维的太阳能电池模拟软件分析数字地模仿。在模拟使用的设备结构是Al/ZnO:Al/nZn(O,S)/pCZTS/Mo。工作是在ZnO1xSx缓冲区层,它将产出更高的变换效率。由改变S/(S+O)比率x,在CZTS/Zn的传导乐队偏移量(CBO)(O,S)如果比率的完整的范围被考虑,接口能从0.23eV到1.06eV。当时,0.23eV的最佳的CBO能被完成ZnO1xSx缓冲区有S/(S+O)0.6的比率。太阳能电池效率首先与增加硫内容增加然后为x突然地减少>0.6,它由我们的建议的最佳的硫内容x=到达17.55%的最高的价值0.6。我们的结果在处理ZnO1x为高效率CZTS的Sx缓冲区层免职太阳能电池。