在现代比较先进的Bipolar技术中，一般采用多晶发射极结构，这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性，因此，这种结构得到广泛的应用。由于这种结构中多晶是直接和硅衬底接触的，多晶腐蚀时要注意过腐蚀量、腐蚀均匀性以及腐蚀后硅衬底的形貌问题。本文主要介绍在这种工艺过程中我们进行的相关实验以及控制方法。最后，简单介绍我们工艺开发的第一批结果。
电子与封装
2004年2期
