800kV瓷套管小型化设计

(整期优先)网络出版时间:2018-12-22
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800kV瓷套管小型化设计

王志强黄潍

新东北电气集团高压开关有限公司检修分公司沈阳110025

摘要:高压绝缘套管是气体金属封闭开关设备重要元件,其绝缘性能是GIS安全运行保证。本文以800kVGIS的瓷套管为研究对象,在满足技术要求及工程实际前提下通过对套管绝缘性能分析,优化套管内电极、内屏蔽及外屏蔽环使结构小型化,降低其成本,并有一定的绝缘裕度,最后通过绝缘试验,开发出小型化瓷套管;

关键词:绝缘;瓷套管;小型化;结构优化

0引言

电力系统的发展要求电力设备具有更小的结构,节约用地成本,而高压套管结构大小对节约用地起着重要作用。因此套管小型化具有重大意义。

1小型化套管结构

本套管在原结构基础上小型化,内径由原结构Φ720mm减小至Φ609mm,高度为8米,与原结构比较见表1,优化结构见图1。

表1与原瓷套的结构比较

图1套管屏蔽位置关系

2800kV瓷套管电场分析计算

1)边界条件:

电位赋值:中心导体及上屏蔽2100kV;接地屏蔽、外壳、法兰及地平面赋0电位;中间屏蔽赋等电位变量[1-3];其余边界不赋值。

2)介质的相对介电常数如下:

空气:1;SF6气体:1.0027;环氧树脂:4.95;电瓷:6.0。

3)计算模型:

ANSYS计算时剖分选项SmartSize取2并在关键曲线上3倍加密。瓷套内径Φ609mm、忽略伞裙;中间屏蔽筒高2600mm;接地屏蔽筒高700mm;空气截断边界范围25000mm×15000mm,如图2所示;

图2计算模型简图

4)电场强度判据

表2套管外绝缘电场强度判据

表3套管内绝缘电场强度判据

5)计算结果及分析

雷电冲击电压冲击系数高,因此加载雷电冲击电压计算是否满足绝缘特性的要求,其计算结果如图3至图12所示。

图3电位分布图4电场分布

电场强度最大值位置中间屏蔽内部,数值:19.846kV/mm

图5中间电位屏蔽和接地屏蔽附近的电场分布

图6瓷套外壁的电场分布

瓷套外壁电场强度最大值1.8kV/mm,小于判据2.5kV/mm

图7瓷套外壁的最大场强的局部视图

最大场强位置接地屏蔽翻边处,数值4.89kV/mm,小于判据6kV/mm

图8瓷套内壁的电场分布

图9支撑绝缘件沿面的电场分布

图10支撑绝缘件内部的电场分布

图11屏蔽环电场强度分布

图12下法兰附件的电场分布

以上计算结果可知,其计算结果

表4导体的最大场强(图5)

表5瓷套外壁计算结果(图6和图7)

表6瓷套内壁计算结果(图8)

表7支撑绝缘件计算结果(图9和图10)

表8外屏蔽环计算结果(图11)

表9下法兰计算结果(图12)

计算结果表明,经过重新设计并优化中间电位屏蔽、接地屏蔽、接地法兰和上屏蔽环后,套管内绝缘能承受峰值2100kV雷电冲击电压,设计裕度超过10%。外绝缘满足2000米海拔的要求,瓷件和绝缘件内外表面场强小于其沿面临界放电强度,其余部位也有相当的设计裕度,满足设计要求。

3800kV瓷套管绝缘试验

为验证800kV瓷套管绝缘特性的合理性,需对套管进行内绝缘和外绝缘试验验证,满足海拔2000米的绝缘参数要求。

1)试验项目

验证瓷套管外绝缘及内绝缘的绝缘特性,其试验项目如表10和表11所示。

表10瓷套管内绝缘试验项目

试验项目施加电压/kV试验方式通过判据

工频耐压9601min未放电

雷电冲击耐压2100正负极性各15次放电不超过两次

操作冲击耐压(干试)1550正负极性各15次放电不超过两次

表11瓷套管外绝缘试验项目(试验电压修正至2000米)

试验项目施加电压/kV试验方式通过判据

工频耐压10851min未放电

雷电冲击耐压2374正负极性各15次放电不超过两次

操作冲击耐压(干试)1705正负极性各15次放电不超过两次

操作冲击耐压(湿试)1705正负极性各15次放电不超过两次

2)绝缘试验

瓷套管绝缘按照试验项目进行试验验证,瓷套管内绝缘特性满足标准要求,外绝缘满足海拔2000米的绝缘特性要求,通过绝缘试验,此小型化的瓷套管可以在工程中应用。其试验状态图13所示。

图13绝缘试验状态图

参考文献:

[1]TakumaT,KawamotoT.Numericalcalculationofelectricfieldswithafloatingconductor[J].IEEETransonDielectricsandElectricalIsulation.1997,4(2):177-181.

[2]KonradA,GraovacM.ThefiniteelementmodelingofConductorsandfloatingpotentials[J].IEEETransonMagnetic,1996,32(5):4329-4331.

[3]崔翔.应用有限元方法计算含有电位悬浮导体的电场分布[J].华北电力学院学报,1995,22(2):1-7.