用直接法合成了未见文献报道的具有Keggin结构的以Ag作为第二配位离子的钨硼杂多配合物，利用ICP，IR，XRD和XPS等对其结构进行了表征．以Gd作为渗入元素对其进行化学气相扩渗，借助IR，TG-DTA，XPS和XRD对配合物扩渗前后的结构及稳定性进行了对比研究．导电性的测试表明：室温下，扩渗后试样的电导率提高了约10^3倍，且热稳定性也有所提高，是一种受温度变化影响较小的导电材料，为制备可实用的导电材料提供了一条新途径．
分子科学学报：中英文版
2006年2期
