360-nm Photoluminescence from Silicon Oxide Films Embedded with Silicon Nanocrystals

(整期优先)网络出版时间:2006-02-12
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Si富有的硅氧化膜被RF磁控管劈啪作响到合成Si/SiO_2目标上扔。在在不同温度退火了以后,与硅nanocrystals嵌入的硅氧化膜被获得。从与硅nanocrystals嵌入的硅氧化膜的光致发光(PL)在房间温度被观察。强壮的山峰是at360nm,它的位置独立于退火的温度。在与硅nanocrystals嵌入的硅氧化膜的360-nmPL的起源被讨论。