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摘要：IGBT（InsulateGateBipolarTransistor绝缘栅双极晶体管）已得到广泛应用。通过对芯片测试参数的分析，提出了可通过对标准芯片Vgth的测试，对芯片在高温测试条件下温度的校准。
关键词：Vgth；校准
1、引言
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合器件，具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小等特性，广泛应用于各种电力电子装置中，IGBT器件的纵向剖面结构如图1（a）
逐步的增加电流表A的电流（Ic）到40MA，读出电压表V的读数，此读数就是相应温度环境下的IGBT的Vgth值。
2.3测试数据
设计15只芯片在不同温度与阈值电压的关系。使起始温度为60℃，测试温度间隔为30℃，并用校准精确的热偶进行标定，保证整个实验的温度可以追溯和尽量接近真数值。为确保过程中芯片与基板达到热平衡，每次测试前，芯片需在基板上置放90秒，热平衡，结果如表所示。
4、结论
通过实验验证，确定可以通过在大气环境下，对Vgth进行温度曲线测试，并将测试结果和标准高温测试时的Vgth进行比较的方式，实现对测试温度的校准。
通过大量试验数据得到了阈值电压和温度的关系方程。
参考文献：
[1]B.JayantBaliga功率半导体器件基础[M].电子工业出版社，2013.
[2]刘宾礼，唐勇，罗毅飞.基于电压变化率的IGBT结温预测模型研究[J].物理学报，2014，17
[3]KuangS.Design，modelingandapplicationoftheIGBT
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