一只新奇侧面的双门通道领域效果晶体管(DG-TFET)被学习，它的性能被二维的设备模拟与代码ISE介绍。Theresult证明这只新通道晶体管允许在60mV/dec下面的更陡峭的次于最低限度的秋千，超级低供应电压(在V-DD<合用0.3V)并且rail-to-rail逻辑(在排水管来源电压V-DS=的重要在状态上电流50mV)为好攻击的技术，high-k/metal的可获得性的假设与相等的门氧化物厚度传输结束字符=叠0.24nm和工作工作差别4.5材料的eV。
中国物理快报：英文版
2006年12期
