有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。
光子技术
2006年4期
